CSD18504Q5A N Channel Mos Field Effect Transistor 6.6 MOhms Logic Level RoHS Compliant
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
CSD18504Q5A Mosfet MOSFET 40V κρυσταλλολυχνιών δύναμης N-Channel MOSFET δύναμης NexFET
1 χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Υπερβολικά χαμηλά Qg και Qgd
-
Χαμηλή θερμική αντίσταση
-
Χιονοστιβάδα που εκτιμάται
-
Επίπεδο λογικής
-
Ελεύθερη τελική επένδυση PB
-
RoHS υποχωρητικό
-
Αλόγονο ελεύθερο
-
ΓΙΟΣ 5 χιλ. × πλαστική συσκευασία 6 χιλ.
2 εφαρμογές
-
Ρεύμα-συνεχές ρεύμα μετατροπή
-
Δευτεροβάθμιος δευτερεύων σύγχρονος διορθωτής
-
Έλεγχος μηχανών μπαταριών
3 περιγραφή
Αυτά τα 5,3 mΩ, ΓΙΟΣ 5 × 6 χιλ., MOSFET δύναμης 40 Β NexFETTM έχουν ως σκοπό να ελαχιστοποιήσουν τις απώλειες στις εφαρμογές μετατροπής δύναμης.
Περίληψη προϊόντων
|
TA = 25°C |
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΑΞΙΑ |
ΜΟΝΑΔΑ |
||
|
VDS |
Τάση αγωγός--πηγής |
40 |
Β |
|
|
Qg |
Σύνολο δαπανών πυλών (4,5 Β) |
7.7 |
nC |
|
|
Qgd |
Πύλη--αγωγός δαπανών πυλών |
2.4 |
nC |
|
|
RDS (επάνω) |
-αντίσταση αγωγός--πηγής |
VGS = 4,5 Β |
7.5 |
mΩ |
|
VGS =10V |
5.3 |
mΩ |
||
|
VGS (θόριο) |
Τάση κατώτατων ορίων |
1.9 |
Β |
|
Διαταγή των πληροφοριών
|
Συσκευή |
Qty |
MEDIA |
Συσκευασία |
Σκάφος |
|
CSD18504Q5A |
2500 |
13-ίντσα εξέλικτρο |
ΓΙΟΣ 5 χιλ. × πλαστική συσκευασία 6 χιλ. |
Ταινία και εξέλικτρο |
|
CSD18504Q5AT |
250 |
7-ίντσα εξέλικτρο |
Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις
|
TA = 25°C |
VALUE |
ΜΟΝΑΔΑ |
|
|
VDS |
Τάση αγωγός--πηγής |
40 |
Β |
|
VGS |
Τάση πύλη--πηγής |
±20 |
Β |
|
Ταυτότητα |
Συνεχές ρεύμα αγωγών (συσκευασία που περιορίζεται) |
50 |
Α |
|
Συνεχές ρεύμα αγωγών (πυρίτιο που περιορίζεται), TC = 25°C |
75 |
||
|
Συνεχές ρεύμα αγωγών (1) |
15 |
||
|
IDM |
Παλόμενο ρεύμα αγωγών (2) |
275 |
Α |
|
PD |
Διασκεδασμός δύναμης (1) |
3.1 |
W |
|
Διασκεδασμός δύναμης, TC = 25°C |
77 |
||
|
TJ, Tstg |
Λειτουργούσα σειρά θερμοκρασίας συνδέσεων και αποθήκευσης |
– 55 έως 150 |
°C |
|
EAS |
Ενέργεια χιονοστιβάδων, ενιαία ταυτότητα =43A, L=0.1mH, RG =25Ω σφυγμού |
92 |
MJ |

