CSD13381F4 χαμηλή Mosfet αντίστασης ενιαία διαμόρφωση ν-CH Pwr κρυσταλλολυχνιών δύναμης
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
CSD13381F4 Mosfet MOSFET 12V ν-CH Pwr κρυσταλλολυχνιών δύναμης MOSFET
1 χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Χαμηλή -αντίσταση
-
Χαμηλά Qg και Qgd
-
Χαμηλή τάση κατώτατων ορίων
-
Εξαιρετικά-μικρό ίχνος (μέγεθος 0402 περίπτωσης)
– 1.0mm×0.6mm
-
Υπερβολικά χαμηλό σχεδιάγραμμα
– 0,35 χιλ. ύψους
-
Ενσωματωμένη δίοδος προστασίας ESD
-
– Εκτιμημένο >4 kV HBM
-
– Εκτιμημένο >2 kV CDM
-
-
Μόλυβδος και αλόγονο ελεύθεροι
-
RoHS υποχωρητικό
2 εφαρμογές
-
Βελτιστοποιημένος για τις εφαρμογές διακοπτών φορτίων
-
Βελτιστοποιημένος για τις εφαρμογές μετατροπής γενικού σκοπού
-
Μονοκύτταρες εφαρμογές μπαταριών
-
Φορητές και κινητές εφαρμογές
3 περιγραφή
Αυτό το 140 mΩ, N-channel 12 Β MOSFET FemtoFETTM τεχνολογία έχει ως σκοπό και βελτιστοποιείται να ελαχιστοποιήσει το ίχνος σε πολλές φορητές και κινητές εφαρμογές. Αυτή η τεχνολογία είναι σε θέση τυποποιημένα μικρά MOSFETs σημάτων παρέχοντας τουλάχιστον μια μείωση 60% του μεγέθους ίχνους.
Περίληψη προϊόντων
|
TA = 25°C |
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΗ ΑΞΙΑ |
ΜΟΝΑΔΑ |
||
|
VDS |
Τάση αγωγός--πηγής |
12 |
Β |
|
|
Qg |
Σύνολο δαπανών πυλών (4,5 Β) |
1060 |
PC |
|
|
Qgd |
Πύλη--αγωγός δαπανών πυλών |
140 |
PC |
|
|
RDS (επάνω) |
-αντίσταση αγωγός--πηγής |
VGS = 1,8 Β |
310 |
mΩ |
|
VGS = 2,5 Β |
170 |
mΩ |
||
|
VGS = 4,5 Β |
140 |
mΩ |
||
|
VGS (θόριο) |
Τάση κατώτατων ορίων |
0,85 |
Β |
|
Διαταγή των πληροφοριών
|
Συσκευή |
Qty |
MEDIA |
Συσκευασία |
Σκάφος |
|
CSD13381F4 |
3000 |
7-ίντσα εξέλικτρο |
Femto (0402) χιλ. μολύβδου 1,0 χιλ. Χ 0,6 SMD λιγότερο |
Ταινία και εξέλικτρο |
|
CSD13381F4T |
250 |
Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις
|
TA = 25°C εκτός εάν ορίζεται διαφορετικά |
VALUE |
ΜΟΝΑΔΑ |
|
|
VDS |
Τάση αγωγός--πηγής |
12 |
Β |
|
VGS |
Τάση πύλη--πηγής |
8 |
Β |
|
Ταυτότητα |
Συνεχές ρεύμα αγωγών, TA = 25°C (1) |
2.1 |
Α |
|
IDM |
Παλόμενο ρεύμα αγωγών, TA = 25°C (2) |
7 |
Α |
|
IG |
Συνεχές ρεύμα σφιγκτηρών πυλών |
35 |
μΑ |
|
Παλόμενο ρεύμα σφιγκτηρών πυλών (2) |
350 |
||
|
PD |
Διασκεδασμός δύναμης (1) |
500 |
MW |
|
Εκτίμηση ESD |
Πρότυπο ανθρώπινου σώματος (HBM) |
4 |
kV |
|
Χρεωμένο πρότυπο συσκευών (CDM) |
2 |
kV |
|
|
TJ, Tstg |
Λειτουργούσα σειρά θερμοκρασίας συνδέσεων και αποθήκευσης |
– 55 έως 150 |
°C |
|
EAS |
Ενέργεια χιονοστιβάδων, ενιαίος σφυγμός ταυτότητα = 7,4 Α, L=0.1mH, RG =25Ω |
2.7 |
MJ |
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485