Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης > Mosfet BAS516,115 75V 250MA HS μετατροπή SW δύναμης γενικού σκοπού διόδων κρυσταλλολυχνιών δύναμης

Mosfet BAS516,115 75V 250MA HS μετατροπή SW δύναμης γενικού σκοπού διόδων κρυσταλλολυχνιών δύναμης

κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
ΔΙΟΔΟΣ, ΜΕΤΑΤΡΟΠΗ, 250MA, 75V, ΈΤΣΙ
Κατηγορία:
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
Τιμή:
Contact us
Μέθοδος πληρωμής:
Paypal, Western Union, TT
Προδιαγραφές
Συσκευασία:
Ταινία περικοπών
Εμπορικό σήμα:
Nexperia
Τύπος προϊόντων:
Δίοδοι - γενικός σκοπός, δύναμη, αλλαγή
Υποκατηγορία:
Δίοδοι & διορθωτές
Ir - Αντίστροφο ρεύμα:
1 UA
Vf - μπροστινή τάση:
1,25 V
Κυριώτερο σημείο:

p channel mosfet driver circuit

,

n channel mos field effect transistor

Εισαγωγή

BAS516,115 Mosfet δίοδοι κρυσταλλολυχνιών δύναμης - γενικός σκοπός, δύναμη, αλλαγή SW 75V 250MA HS

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα και οφέλη

υψηλή ταχύτητα μετατροπής : trr 4 NS

χαμηλό ρεύμα διαρροής

επαναλαμβανόμενη μέγιστη αντίστροφη τάση :

VRRM 100 Β

AEC-Q101 κατάλληλο

Εφαρμογές

μεγάλη μετατροπή
γενικής χρήσης μετατροπή

Διαταγή των πληροφοριών

Αριθμός τύπων

Συσκευασία

Όνομα

Περιγραφή

Έκδοση

BAS16

-236AB

επιφάνεια-τοποθετημένη πλαστικό συσκευασία 3 μόλυβδοι

SOT23

BAS16H

-

επιφάνεια-τοποθετημένη πλαστικό συσκευασία 2 μόλυβδοι

SOD123F

BAS16J

Sc-90

επιφάνεια-τοποθετημένη πλαστικό συσκευασία 2 μόλυβδοι

SOD323F

BAS16L

Dfn1006-2

χωρίς μόλυβδο εξαιρετικά μικρή πλαστική συσκευασία 2 τερματικά σώμα 1,0  0.6  0,5 χιλ.

SOD882

BAS16T

Sc-75

επιφάνεια-τοποθετημένη πλαστικό συσκευασία 3 μόλυβδοι

SOT416

BAS16VV

-

επιφάνεια-τοποθετημένη πλαστικό συσκευασία 6 μόλυβδοι

SOT666

BAS16VY

Sc-88

επιφάνεια-τοποθετημένη πλαστικό συσκευασία 6 μόλυβδοι

SOT363

BAS16W

Sc-70

επιφάνεια-τοποθετημένη πλαστικό συσκευασία 3 μόλυβδοι

SOT323

BAS316

Sc-76

επιφάνεια-τοποθετημένη πλαστικό συσκευασία 2 μόλυβδοι

SOD323

BAS516

Sc-79

επιφάνεια-τοποθετημένη πλαστικό συσκευασία 2 μόλυβδοι

SOD523

ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
Contact us