Mosfet BAS516,115 75V 250MA HS μετατροπή SW δύναμης γενικού σκοπού διόδων κρυσταλλολυχνιών δύναμης
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
BAS516,115 Mosfet δίοδοι κρυσταλλολυχνιών δύναμης - γενικός σκοπός, δύναμη, αλλαγή SW 75V 250MA HS
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα και οφέλη
υψηλή ταχύτητα μετατροπής : trr 4 NS
χαμηλό ρεύμα διαρροής
επαναλαμβανόμενη μέγιστη αντίστροφη τάση :
VRRM 100 Β
AEC-Q101 κατάλληλο
Εφαρμογές
μεγάλη μετατροπή
γενικής χρήσης μετατροπή
Διαταγή των πληροφοριών
Αριθμός τύπων |
Συσκευασία |
||
Όνομα |
Περιγραφή |
Έκδοση |
|
BAS16 |
-236AB |
επιφάνεια-τοποθετημένη πλαστικό συσκευασία 3 μόλυβδοι |
SOT23 |
BAS16H |
- |
επιφάνεια-τοποθετημένη πλαστικό συσκευασία 2 μόλυβδοι |
SOD123F |
BAS16J |
Sc-90 |
επιφάνεια-τοποθετημένη πλαστικό συσκευασία 2 μόλυβδοι |
SOD323F |
BAS16L |
Dfn1006-2 |
χωρίς μόλυβδο εξαιρετικά μικρή πλαστική συσκευασία 2 τερματικά σώμα 1,0 0.6 0,5 χιλ. |
SOD882 |
BAS16T |
Sc-75 |
επιφάνεια-τοποθετημένη πλαστικό συσκευασία 3 μόλυβδοι |
SOT416 |
BAS16VV |
- |
επιφάνεια-τοποθετημένη πλαστικό συσκευασία 6 μόλυβδοι |
SOT666 |
BAS16VY |
Sc-88 |
επιφάνεια-τοποθετημένη πλαστικό συσκευασία 6 μόλυβδοι |
SOT363 |
BAS16W |
Sc-70 |
επιφάνεια-τοποθετημένη πλαστικό συσκευασία 3 μόλυβδοι |
SOT323 |
BAS316 |
Sc-76 |
επιφάνεια-τοποθετημένη πλαστικό συσκευασία 2 μόλυβδοι |
SOD323 |
BAS516 |
Sc-79 |
επιφάνεια-τοποθετημένη πλαστικό συσκευασία 2 μόλυβδοι |
SOD523 |

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485
