Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης > 2N7002LT1G Mosfet καναλιών Ν κρυσταλλολυχνία, κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων 115mA MOS

2N7002LT1G Mosfet καναλιών Ν κρυσταλλολυχνία, κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων 115mA MOS

κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
N-Channel 60 υποστήριγμα μέθυσος-23-3 επιφάνειας Β 115mA (TC) 225mW (TA) (-236)
Κατηγορία:
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
Τιμή:
Contact us
Μέθοδος πληρωμής:
Paypal, Western Union, TT
Προδιαγραφές
Τύπος προϊόντων:
MOSFET
Υποκατηγορία:
MOSFETs
Ελάχιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:
- 55 Γ
Μέγιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:
+ 150 Γ
RDS επάνω - αντίσταση αγωγός-πηγής:
7,5 ωμ
Θόριο Vgs - τάση κατώτατων ορίων πύλη-πηγής:
1 V
Κυριώτερο σημείο:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Εισαγωγή

2N7002LT1G Mosfet MOSFET 60V 115mA κρυσταλλολυχνιών δύναμης N-Channel

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα

• 2V πρόθεμα για τις αυτοκίνητες και άλλες εφαρμογές που απαιτούν τις μοναδικές απαιτήσεις αλλαγής περιοχών και ελέγχου AEC−Q101 κατάλληλος και PPAP ικανό (2V7002L)

• Αυτές οι συσκευές είναι Pb−Free, αλόγονο Free/BFR ελεύθερο και είναι RoHS υποχωρητικό

ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ

Εκτίμηση

Σύμβολο

Αξία

Μονάδα

Τάση Drain−Source

VDSS

60

Vdc

Τάση Drain−Gate (RGS = 1,0 MW)

VDGR

60

Vdc

Ρεύμα αγωγών
− Συνεχές TC = 25°C (σημείωση 1) − συνεχές TC = 100°C (σημείωση 1) − παλλόταν (σημείωση 2)

Ταυτότητα

ΤΑΥΤΌΤΗΤΑ IDM

± 115 ± 75 ± 800

mAdc

Τάση Gate−Source
− Συνεχής
− Non−repetitive (tp κα ≤ 50)

VGS VGSM

± 20 ± 40

Vdc Vpk

ΘΕΡΜΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ

Χαρακτηριστικό

Σύμβολο

Max

Μονάδα

Συνολικός πίνακας διασκεδασμού FR−5 συσκευών (σημείωση 3) TA = 25°C
Derate επάνω από 25°C

Θερμική αντίσταση, Junction−to−Ambient

PD RqJA

225 1,8 556

MW mW/°C °C/W

Συνολικός διασκεδασμός συσκευών
(Σημείωση 4) υπόστρωμα αλουμίνας, TA = 25°C Derate επάνω από 25°C

Θερμική αντίσταση, Junction−to−Ambient

PD RqJA

300 2,4 417

MW mW/°C °C/W

Σύνδεση και θερμοκρασία αποθήκευσης

TJ, Tstg

− 55 έως +150

°C

ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
Contact us