2N7002LT1G Mosfet καναλιών Ν κρυσταλλολυχνία, κρυσταλλολυχνία επίδρασης τομέων 115mA MOS
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
2N7002LT1G Mosfet MOSFET 60V 115mA κρυσταλλολυχνιών δύναμης N-Channel
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
• 2V πρόθεμα για τις αυτοκίνητες και άλλες εφαρμογές που απαιτούν τις μοναδικές απαιτήσεις αλλαγής περιοχών και ελέγχου AEC−Q101 κατάλληλος και PPAP ικανό (2V7002L)
• Αυτές οι συσκευές είναι Pb−Free, αλόγονο Free/BFR ελεύθερο και είναι RoHS υποχωρητικό
ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ
Εκτίμηση |
Σύμβολο |
Αξία |
Μονάδα |
Τάση Drain−Source |
VDSS |
60 |
Vdc |
Τάση Drain−Gate (RGS = 1,0 MW) |
VDGR |
60 |
Vdc |
Ρεύμα αγωγών |
Ταυτότητα ΤΑΥΤΌΤΗΤΑ IDM |
± 115 ± 75 ± 800 |
mAdc |
Τάση Gate−Source |
VGS VGSM |
± 20 ± 40 |
Vdc Vpk |
ΘΕΡΜΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ
Χαρακτηριστικό |
Σύμβολο |
Max |
Μονάδα |
Συνολικός πίνακας διασκεδασμού FR−5 συσκευών (σημείωση 3) TA = 25°C Θερμική αντίσταση, Junction−to−Ambient |
PD RqJA |
225 1,8 556 |
MW mW/°C °C/W |
Συνολικός διασκεδασμός συσκευών Θερμική αντίσταση, Junction−to−Ambient |
PD RqJA |
300 2,4 417 |
MW mW/°C °C/W |
Σύνδεση και θερμοκρασία αποθήκευσης |
TJ, Tstg |
− 55 έως +150 |
°C |

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485
