BSZ100N06LS3G 50 Mosfet W κύκλωμα διακοπτών δύναμης, Mosfet κύκλωμα tsdson-8 OptiMOS 3 ελέγχου
Προδιαγραφές
Διαμόρφωση:
Ενιαίος
Pd - διασκεδασμός δύναμης:
50 W
Ελάχιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:
- 55 Γ
Μέγιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:
+ 150 Γ
Κατασκευαστής:
Infineon
Κατηγορία προϊόντων:
MOSFET
Κυριώτερο σημείο:
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
Εισαγωγή
BSZ100N06LS3G Mosfet MOSFET ν-CH 60V 20A tsdson-8 OptiMOS 3 κρυσταλλολυχνιών δύναμης
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Ιδανικό για τη μετατροπή και το συγχρονισμό υψηλής συχνότητας. REC.
- Βελτιστοποιημένη τεχνολογία για τους μετατροπείς DC/DC
- N-channel, επίπεδο λογικής
- 100% χιονοστιβάδα δοκιμασμένη
- PB-ελεύθερη επένδυση RoHS υποχωρητικό
- Κατάλληλος σύμφωνα με JEDEC για τις εφαρμογές στόχων
ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP

SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
Contact us