Γραμμή διαφοράς υψηλής ταχύτητας ολοκληρωμένου κυκλώματος διεπαφών ολοκληρωμένου κυκλώματος LVDS διεπαφών SN65LVDS1DBVR SN65LVDS2DBVR UART
uart multiplexer ic
,uart level shifter ic
Γραμμή διαφοράς υψηλής ταχύτητας ολοκληρωμένου κυκλώματος διεπαφών ολοκληρωμένου κυκλώματος LVDS διεπαφών SN65LVDS1DBVR SN65LVDS2DBVR UART
1 χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Ανταποκρίνεται ή υπερβαίνει στα πρότυπα Ansi TIA/EIA-644
-
Σχεδιασμένος για τα κάνοντας σήμα ποσοστά (1) μέχρι:
-
– 630 Mbps για τους οδηγούς
-
– 400 Mbps για τους δέκτες
-
-
Λειτουργεί από ένα 2,4-β στον ανεφοδιασμό 3,6-β
-
Διαθέσιμος σε μέθυσος-23 και τις συσκευασίες SOIC
-
Το λεωφορείο-τελικό ESD υπερβαίνει 9 kV
-
Χαμηλής τάσης διαφορική σηματοδότηση με τις χαρακτηριστικές τάσεις παραγωγής 350 MV σε ένα φορτίο 100-Ω
-
Χρόνοι καθυστέρησης διάδοσης
-
– χαρακτηριστικός οδηγός 1,7 NS
-
– χαρακτηριστικός δέκτης 2,5 NS
-
-
Διασκεδασμός δύναμης σε 200 MHZ
-
– χαρακτηριστικός οδηγός 25 MW
-
– χαρακτηριστικός δέκτης 60 MW
-
-
Ο δέκτης LVDT περιλαμβάνει τη λήξη γραμμών
-
Η εισαγωγή οδηγών επιπέδων χαμηλής τάσης TTL (LVTTL) είναι 5 - Β ανεκτικό
-
Ο οδηγός είναι υψηλός-σύνθετη αντίσταση παραγωγής με VCC<1>
-
Η παραγωγή και οι εισαγωγές δεκτών είναι υψηλός-σύνθετη αντίσταση με VCC < 1="">
-
Ανοιχτός ασφαλής δεκτών
-
Διαφορικό κατώτατο όριο λιγότερο από 100 MV τάσης εισαγωγής
2 εφαρμογές
• Ασύρματη υποδομή
• Υποδομή τηλεπικοινωνιών
• Εκτυπωτής
3 περιγραφή
Οι συσκευές SN65LVDS1, SN65LVDS2, και SN65LVDT2 είναι ενιαίοι, χαμηλής τάσης, διαφορικοί οδηγοί γραμμών και δέκτες στη συσκευασία κρυσταλλολυχνιών μικρός-περιλήψεων. Τα αποτελέσματα συμμορφώνονται με τα πρότυπα TIA/EIA-644 και παρέχουν ένα ελάχιστο διαφορικό μέγεθος τάσης παραγωγής 247 MV σε ένα φορτίο 100-Ω στα κάνοντας σήμα ποσοστά μέχρι 630 Mbps για τους οδηγούς και 400 Mbps για τους δέκτες.
Όταν η συσκευή SN65LVDS1 χρησιμοποιείται με έναν δέκτη LVDS (όπως το SN65LVDT2) σε ένα σημείο για να δείξει τη σύνδεση, τα σήματα στοιχείων ή χρονομέτρησης μπορούν να διαβιβαστούν πέρα από printed-circuit τα ίχνη ή τα καλώδια πινάκων πολύ στα υψηλά ποσοστά με τις πολύ μικρές ηλεκτρομαγνητικές εκπομπές και την κατανάλωση ισχύος. Η συσκευασία, η χαμηλής ισχύος, χαμηλή EMI, η υψηλή ανοχή ESD, και η ευρεία σειρά τάσης ανεφοδιασμού κάνουν το ιδανικό συσκευών για τις με μπαταρίες εφαρμογές.
Οι συσκευές SN65LVDS1, SN65LVDS2, και SN65LVDT2 χαρακτηρίζονται για τη λειτουργία από – 40°C σε 85°C.
Πληροφορίες συσκευών
|
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΩΝ |
ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑ |
ΜΕΓΕΘΟΣ ΣΩΜΑΤΟΣ (NOM) |
|
SN65LVDS1 |
SOIC (8) |
4,90 χιλ. × 3,91 χιλ. |
|
ΜΕΘΥΣΟΣ (5) |
2,90 χιλ. × 1,60 χιλ. |
|
|
SN65LVDS2 |
SOIC (8) |
4,90 χιλ. × 3,91 χιλ. |
|
ΜΕΘΥΣΟΣ (5) |
2,90 χιλ. × 1,60 χιλ. |
|
|
SN65LVDT2 |
SOIC (8) |
4,90 χιλ. × 3,91 χιλ. |
|
ΜΕΘΥΣΟΣ (5) |
2,90 χιλ. × 1,60 χιλ. |
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485