TXS0101DCKR 3 κρατικής προγραμματίσημο λογικής σήμα BPort αγωγών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ανοικτό που απαιτείται
programmable computer chip
,logic integrated circuits
TXS0101DCKR προγραμματίσημος 1B Bidirec Vltg- επιπέδων τάσης ολοκληρωμένων κυκλωμάτων λογικής μεταφραστής LEV
1 χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Σύρτης-επάνω στην απόδοση υπερβαίνει 100 μΑ ανά JESD 78, κατηγορία ΙΙ
- Η προστασία ESD υπερβαίνει JESD 22
- – APort
- – Πρότυπο ανθρώπινου σώματος 2500 Β (a114-β)
- – Πρότυπο μηχανών 200 Β (a115-α)
- – Πρότυπο charged-συσκευών 1500 Β (C101)
- – BPort
- – 8 kV πρότυπο ανθρώπινου σώματος (a114-β)
- – Πρότυπο μηχανών 200 Β (a115-α)
- – Πρότυπο charged-συσκευών 1500 Β (C101)
- Κανένα σήμα κατεύθυνση-ελέγχου που απαιτείται
- Μέγιστα ποσοστά στοιχείων
- – 24 Mbps (αντιφατικό)
- – 2 Mbps (ανοικτός αγωγός)
- Διαθέσιμος στη συσκευασία της Texas Instruments NanoFreeTM
- 1.65Vto3.6VonAportand2.3Vto5.5VonB λιμένας (VCCA ≤ VCCB)
- VCC χαρακτηριστικό γνώρισμα απομόνωσης – εάν καθενός VCC που εισάγεται είναι GND, και οι δύο λιμένες είναι στο κράτος υψηλός-σύνθετης αντίστασης
- Καμία αλληλοuχία δύναμη-ανεφοδιασμού που απαιτείται – είτε VCCA είτε VCCB μπορεί να είναι Ramped πρώτα
- Υποστηρίξεις Ioff μερικός-δύναμη-κάτω από τη λειτουργία τρόπου
2 εφαρμογές
- Μικροτηλέφωνα
- Smartphones
- Ταμπλέτες
- Προσωπικοί υπολογιστές γραφείου
3 περιγραφή
Αυτός ο μη-αναστρέφοντας μεταφραστής ένας-κομματιών χρησιμοποιεί δύο χωριστές διαμορφώσιμες ράγες δύναμη-ανεφοδιασμού. Ο λιμένας Α σχεδιάζεται στη διαδρομή VCCA. VCCA δέχεται οποιαδήποτε τάση ανεφοδιασμού από 1,65 Β σε 3,6 V. Ο λιμένας Β σχεδιάζεται στη διαδρομή VCCB. VCCA πρέπει να είναι λιγότερο ή ίσο προς VCCB. VCCB δέχεται οποιαδήποτε τάση ανεφοδιασμού από 2,3 Β σε 5,5 V. Αυτό επιτρέπει την αμφίδρομη μετάφραση χαμηλής τάσης μεταξύ οποιωνδήποτε από τα 1,8 Β, 2,5 Β, 3,3 Β, και 5 κόμβων τάσης Β.
Όταν παραγωγή-επιτρέψτε (OE) εισαγμένος είναι χαμηλός, όλα τα αποτελέσματα τοποθετούνται στο κράτος υψηλός-σύνθετης αντίστασης.
Για να εξασφαλίσει το κράτος υψηλός-σύνθετης αντίστασης κατά τη διάρκεια της δύναμης επάνω ή της δύναμης κάτω, OE πρέπει να δεθεί GND μέσω ενός pull-down αντιστάτη η ελάχιστη αξία του αντιστάτη καθορίζεται από την ικανότητα τρέχων-πρόσβασης του οδηγού.
Πληροφορίες συσκευών
|
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΩΝ |
ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑ |
ΜΕΓΕΘΟΣ ΣΩΜΑΤΟΣ (NOM) |
|
TXS0101DBV |
Μέθυσος-23 (6) |
2,90 χιλ. × 1,60 χιλ. |
|
TXS0101DCK |
SC70 (6) |
2,00 χιλ. × 1,25 χιλ. |
|
TXS0101DRL |
Μέθυσος-5X3 (6) |
1,90 χιλ. × 1,60 χιλ. |
|
TXS0101YZP |
DSBGA (6) |
0,89 χιλ. × 1,39 χιλ. |
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485