TXB0304RUTR βιομηχανικό προγραμματίσημο ολοκληρωμένο κύκλωμα, προγραμματίσημο ολοκληρωμένο κύκλωμα σειράς λογικής
programmable computer chip
,logic integrated circuits
TXB0304RUTR προγραμματίσημος ΑΙΣΘΑΜΈΝΟΣ ΜΕΤΑΦΡΑΣΤΉΣ αυτόματος-DIR επιπέδων τάσης ολοκληρωμένων κυκλωμάτων λογικής 4B BIDIREC
1 χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- Πλήρως συμμετρικές τάσεις ανεφοδιασμού, 0,9 Β σε 3,6 Β σε έναν λιμένα και 0,9 Β σε 3,6 Β
- VCC χαρακτηριστικό γνώρισμα απομόνωσης – εάν καθενός VCC που εισάγεται είναι GND, όλα τα αποτελέσματα είναι στο κράτος υψηλός-σύνθετης αντίστασης
- OE κύκλωμα εισαγωγής που παραπέμπεται σε VCCA
- Χαμηλής ισχύος κατανάλωση, 5 μA Max (ICCA ή ICCB)
- Υποστηρίξεις Ioff μερικός-δύναμη-κάτω από τη λειτουργία τρόπου
- Σύρτης-επάνω στην απόδοση υπερβαίνει 100 μΑ ανά JESD 78, κατηγορία ΙΙ
- Η προστασία ESD υπερβαίνει JESD 22
- – πρότυπο ανθρώπινου σώματος 8000-β (a114-β)
- – πρότυπο charged-συσκευών 1000-β (C101)
2 εφαρμογές
-
Προσωπική ηλεκτρονική
-
Βιομηχανικός
-
Επιχείρηση
-
Τηλεπικοινωνίες
3 περιγραφή
Αυτός ο μη-αναστρέφοντας μεταφραστής 4 μπιτ χρησιμοποιεί δύο χωριστές διαμορφώσιμες ράγες δύναμη-ανεφοδιασμού. Ο λιμένας Α σχεδιάζεται στη διαδρομή VCCA. VCCA δέχεται οποιαδήποτε τάση ανεφοδιασμού από 0,9 Β σε 3,6 V. Ο λιμένας Β σχεδιάζεται στη διαδρομή VCCB. VCCB δέχεται οποιαδήποτε τάση ανεφοδιασμού από 0,9 Β σε 3,6 V. Αυτό επιτρέπει την αμφίδρομη μετάφραση χαμηλής τάσης μεταξύ 1 Β, 1,2 Β, 1,5 Β, 1,8 Β, 2,5 Β και 3,3 κόμβων τάσης Β. Για το TXB0304, όταν παραγωγή-επιτρέψτε (OE) εισαγμένος είναι χαμηλός, όλα τα αποτελέσματα τοποθετούνται στο κράτος υψηλός-σύνθετης αντίστασης. Για να εξασφαλίσει το κράτος υψηλός-σύνθετης αντίστασης κατά τη διάρκεια της δύναμης επάνω ή της δύναμης κάτω, OE πρέπει να δεθεί GND μέσω ενός pull-down αντιστάτη η ελάχιστη αξία του αντιστάτη καθορίζεται από την ικανότητα τρέχων-πρόσβασης του οδηγού. Η καρφίτσα ελέγχου συσκευών OE εισήγαγε το κύκλωμα παρέχεται από VCCA. Αυτή η συσκευή διευκρινίζεται πλήρως για τις μερικός-δύναμη-κάτω εφαρμογές χρησιμοποιώντας Ioff. Τα στοιχεία κυκλώματος Ioff θέτουν εκτός λειτουργίας τα αποτελέσματα, που αποτρέπουν καταστρεπτικό τρέχον backflow μέσω της συσκευής όταν τροφοδοτούνται κάτω. Η μόνη διαφορά μεταξύ TXB0304 και TXBN0304 είναι το σήμα OE που είναι ενεργός υψηλή και ενεργός χαμηλή αντίστοιχα.
Πληροφορίες συσκευών
|
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΩΝ |
ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑ |
ΜΕΓΕΘΟΣ ΣΩΜΑΤΟΣ (NOM) |
|
TXB0304 |
ΑΠΟΤΕΛΜΑΤΩΣΗ UQFN (12) |
2,00 χιλ. × 1,70 χιλ. |
|
RSV UQFN (16) |
2,60 χιλ. × 1,80 χιλ. |
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485