TXB0104RUTR 100 μΑ προγραμματίσημες λογικής ράγες παροχής ηλεκτρικού ρεύματος ολοκληρωμένων κυκλωμάτων χωριστές για τις κάσκες
programmable computer chip
,programmable logic array ic
TXB0104RUTR προγραμματίσημος μεταφραστής vltg-επιπέδων επιπέδων τάσης ολοκληρωμένων κυκλωμάτων λογικής 4B Bidir
1 χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- 1,2-β στο 3,6-β σε έναν λιμένα και το 1,65-β στο 5,5-β στο λιμένα Β (VCCA ≤ VCCB)
- VCC χαρακτηριστικό γνώρισμα απομόνωσης: Εάν καθενός VCC που εισάγεται είναι GND, όλα τα αποτελέσματα είναι στο κράτος υψηλός-σύνθετης αντίστασης
- Η παραγωγή επιτρέπει (OE) το εισαγμένο κύκλωμα που παραπέμπεται σε VCCA
- Χαμηλής ισχύος κατανάλωση, 5 μA μέγιστο ICC
- Ι ΑΠΟ το μερικό δύναμη-κάτω τρόπο υποστηρίξεων
- Λειτουργία
- Σύρτης-επάνω στην απόδοση υπερβαίνει 100 μΑ ανά JESD 78, κατηγορία ΙΙ
2 εφαρμογές
-
Κάσκες
-
Smartphones
-
Ταμπλέτες
-
Προσωπικός υπολογιστής γραφείου
3 περιγραφή
Αυτό το TXB0104 4 δάγκωσε τις noninverting χρήσεις μεταφραστών δύο χωριστές διαμορφώσιμες ράγες δύναμη-ανεφοδιασμού. Ο λιμένας Α σχεδιάζεται στη διαδρομή VCCA. VCCA δέχεται οποιαδήποτε τάση ανεφοδιασμού από 1,2 Β σε 3,6 V. Ο λιμένας Β σχεδιάζεται στη διαδρομή VCCB. VCCB δέχεται οποιαδήποτε τάση ανεφοδιασμού από 1,65 Β σε 5,5 V. Αυτό επιτρέπει την καθολική χαμηλής τάσης αμφίδρομη μετάφραση μεταξύ οποιωνδήποτε από τους κόμβους της τάσης 1,2-β, 1,5-β, 1,8-β, 2,5-β, 3,3-β, και 5-β. VCCA δεν πρέπει να υπερβεί VCCB.
Όταν η εισαγωγή OE είναι χαμηλή, όλα τα αποτελέσματα τοποθετούνται στο κράτος υψηλός-σύνθετης αντίστασης. Για να εξασφαλίσει το υψηλό κράτος σύνθετης αντίστασης κατά τη διάρκεια της δύναμης επάνω ή της δύναμης κάτω, OE πρέπει να δεθεί GND μέσω ενός pulldown αντιστάτη που η τρέχουσα ικανότητα πρόσβασης του οδηγού καθορίζει την ελάχιστη αξία του αντιστάτη.
Η συσκευή TXB0104 σχεδιάζεται έτσι το κύκλωμα εισαγωγής OE παρέχεται από VCCA.
Αυτή η συσκευή διευκρινίζεται πλήρως για τις μερικές δύναμη-κάτω εφαρμογές χρησιμοποιώντας το Ι ΜΑΚΡΙΆ. Το Ι ΑΠΌ τα στοιχεία κυκλώματος θέτει εκτός λειτουργίας τα αποτελέσματα, το οποίο αποτρέπει καταστρεπτικό τρέχον backflow μέσω της συσκευής όταν τροφοδοτείται κάτω η συσκευή.
Πληροφορίες συσκευών
|
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΩΝ |
ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑ |
ΜΕΓΕΘΟΣ ΣΩΜΑΤΟΣ (NOM) |
|
TXB0104RUT |
UQFN (12) |
2,00 χιλ. × 1,70 χιλ. |
|
TXB0104D |
SOIC (14) |
8,65 χιλ. × 3,91 χιλ. |
|
TXB0104ZXU/GXU |
BGA MICROSTAR JUNIORTM (12) |
2,00 χιλ. × 2,50 χιλ. |
|
TXB0104PW |
TSSOP (14) |
5,00 χιλ. × 4,40 χιλ. |
|
TXB0104RGY |
VQFN (14) |
3,50 χιλ. × 3,50 χιλ. |
|
TXB0104YZT |
DSBGA (12) |
1,40 χιλ. × 1,90 χιλ. |
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485