TLC277IDR ακουστικός δύναμης ενισχυτών ολοκληρωμένου κυκλώματος ακρίβειας ενιαίος ανεφοδιασμός ακρίβειας ενισχυτών διπλός
digital audio amplifier ic
,audio preamplifier ic
TLC277IDR ακουστικός δύναμης ενισχυτών ολοκληρωμένου κυκλώματος ακρίβειας ενιαίος ανεφοδιασμός ακρίβειας ενισχυτών διπλός
Περιγραφή (συνεχιζόμενη)
|
TA |
VIOmax σε 25°C |
ΣΥΣΚΕΥΑΣΜΕΝΕΣ ΣΥΣΚΕΥΕΣ |
ΜΟΡΦΗ ΤΣΙΠ (Ω) |
||||
|
ΜΙΚΡΗ ΠΕΡΙΛΗΨΗ (Δ) |
ΜΕΤΑΦΟΡΕΑΣ ΤΣΙΠ (FK) |
ΚΕΡΑΜΙΚΗ ΕΜΒΥΘΙΣΗ (JG) |
ΠΛΑΣΤΙΚΗ ΕΜΒΥΘΙΣΗ (P) |
TSSOP (PW) |
|||
|
0°C σε 70°c |
500 μV 2 MV 5 MV 10mV |
TLC277CD TLC272BCD TLC272ACD TLC272CD |
— — — — |
— — — — |
TLC277CP TLC272BCP TLC272ACP TLC272CP |
— |
— |
|
– 40°C σε 85°C |
500 μV 2 MV 5 MV 10 MV |
TLC277ID TLC272BID TLC272AID TLC272ID |
— — — — |
— — — — |
TLC277IP TLC272BIP TLC272AIP TLC272IP |
— — — — |
— — — — |
Η συσκευασία Δ είναι διαθέσιμο δεμένο με ταινία και τυλιγμένο. Προσθέστε το επίθημα Ρ στον τύπο συσκευών (π.χ., TLC277CDR).
Γενικά, πολλά χαρακτηριστικά γνωρίσματα που συνδέονται με τη διπολική τεχνολογία είναι διαθέσιμα στους λειτουργικούς ενισχυτές LinCMOS χωρίς τις ποινικές ρήτρες δύναμης της διπολικής τεχνολογίας. Οι γενικές εφαρμογές όπως η διασύνδεση μετατροπέων, οι αναλογικοί υπολογισμοί, οι φραγμοί ενισχυτών, τα ενεργά φίλτρα, και η αποθήκευση σημάτων σχεδιάζονται εύκολα με το TLC272 και το TLC277. Οι συσκευές εκθέτουν επίσης τη λειτουργία ενιαίος-ανεφοδιασμού χαμηλής τάσης, που καθιστά τους ιδανικά ταιριαγμένους για τις μακρινές και απρόσιτες με μπαταρίες εφαρμογές. Η σειρά τάσης εισαγωγής κοινός-τρόπου περιλαμβάνει την αρνητική ράγα.
Ένα ευρύ φάσμα των επιλογών συσκευασίας είναι διαθέσιμο, συμπεριλαμβανομένων των εκδόσεων μεταφορέων μικρός-περιλήψεων και τσιπ για τις εφαρμογές συστημάτων υψηλής πυκνότητας.
Οι εισαγωγές και τα αποτελέσματα συσκευών έχουν ως σκοπό να αντισταθούν – ρεύματα κύματος 100-μΑ χωρίς να στηρίξουν σύρτης-επάνω.
Το TLC272 και το TLC277 ενσωματώνουν τα εσωτερικά κυκλώματα ESD-προστασίας που αποτρέπουν τις λειτουργικές αποτυχίες στις τάσεις μέχρι 2000 Β όπως εξετάζεται κάτω από mil-STD-883C, μέθοδος 3015,2 εντούτοις, η προσοχή πρέπει να επιδειχθεί στο χειρισμό αυτών των συσκευών δεδομένου ότι η έκθεση στο ESD μπορεί να οδηγήσει στην υποβάθμιση της παραμετρικής απόδοσης συσκευών.
Οι συσκευές γ-επιθήματος χαρακτηρίζονται για τη λειτουργία από 0°C σε 70°C. Οι συσκευές ι-επιθήματος χαρακτηρίζονται για τη λειτουργία από – 40°C σε 85°C. Οι συσκευές μ-επιθήματος χαρακτηρίζονται για τη λειτουργία πέρα από την πλήρη στρατιωτική σειρά θερμοκρασίας – 55°C σε 125°C.
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485