Πώμα διοικητικού ολοκληρωμένου κυκλώματος πορειών δύναμης LT4363CDE-2#PBF LT4363HMS-2#PBF LT4363IMS-2#TRPBF με το τρέχον όριο. Αυτόματος-ξαναδοκιμάστε
microchip battery management
,battery charge management ic
Πώμα διοικητικού ολοκληρωμένου κυκλώματος πορειών δύναμης LT4363CDE-2#PBF LT4363HMS-2#PBF LT4363IMS-2#TRPBF με το τρέχον όριο. Αυτόματος-ξαναδοκιμάστε
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
το ν αντιστέκεται τα κύματα άνω των 100V με VCC ευρεία λειτουργούσα σειρά τάσης σφιγκτηρών ν: 4V σε 80V
διευθετήσιμη τάση σφιγκτηρών παραγωγής ν
γρήγορο Overcurrent ν όριο: Λιγότερο από 5μs
αντίστροφη προστασία εισαγωγής ν – 60V
διευθετήσιμα UV/OV κατώτατα όρια συγκριτών ν
χαμηλό 7μA ρεύμα κλεισίματος ν
η καρφίτσα κλεισίματος ν αντιστέκεται – 60V σε 100V
διευθετήσιμο χρονόμετρο ελαττωμάτων ν
N-Channel ελέγχων ν MOSFET
το ν λιγότερο από 1% ξαναδοκιμάζει τον κύκλο καθήκοντος κατά τη διάρκεια των ελαττωμάτων, lt4363-2
το ν διαθέσιμο στην 12-καρφίτσα (4mm × 3mm) DFN, την 12-καρφίτσα MSOP και την 16-καρφίτσα συσκευάζει ΈΤΣΙ
Εφαρμογές
αυτοκίνητη/ηλεκτρονικού συστήματος αεροσκαφών/βιομηχανική προστασία κύματος ν
ν καυτό SwapTM/ζωντανή εισαγωγή
υψηλός δευτερεύων διακόπτης ν για τα με μπαταρίες συστήματα
εγγενείς εφαρμογές ασφάλειας ν
Περιγραφή
Το πώμα κύματος LT®4363 προστατεύει τα φορτία από τους επιβάτες υψηλής τάσης. Ρυθμίζει την παραγωγή κατά τη διάρκεια ενός overvoltage γεγονότος, όπως η απόρριψη φορτίων στα οχήματα, με τον έλεγχο της πύλης εξωτερικό N-channel MOSFET. Η παραγωγή περιορίζεται σε μια ασφαλή αξία που επιτρέπει στα φορτία για να συνεχίσει. Το LT4363 ελέγχει επίσης την πτώση τάσης μεταξύ του SNS και καρφώνει ΈΞΩ για να προστατεύσει από overcurrent τα ελαττώματα. Ένας εσωτερικός ενισχυτής περιορίζει την τάση πέρα από τον τρέχοντα αντιστάτη αίσθησης σε 50mV. Σε καθέναν όρο ελαττωμάτων, ένα χρονόμετρο αρχίζει αντιστρόφως ανάλογος προς MOSFET την πίεση. Προτού να λήξει το χρονόμετρο, η καρφίτσα FLT τραβά χαμηλά για να προειδοποιήσει για μια δύναμη impend- ing κάτω. Εάν ο όρος εμμένει, MOSFET κλείνεται. Το lt4363-1 παραμένει μακριά μέχρι την αναστοιχειοθέτηση ενώ τα lt4363-2 καινούρια ξεκινήματα μετά από μια δροσερή κάτω περίοδο.
Δύο συγκριτές ακρίβειας μπορούν να ελέγξουν τον ανεφοδιασμό εισαγωγής για overvoltage (Ov) και undervoltage (τους UV) όρους. Όταν η δυνατότητα είναι κάτω από το UV κατώτατο όριο, εξωτερικό MOSFET. Εάν η τάση ανεφοδιασμού εισαγωγής είναι επάνω από το κατώτατο όριο Ov, MOSFET δεν επιτρέπεται για να ανοίξει πίσω. Πλάτη με πλάτη MOSFETs μπορούν να χρησιμοποιηθούν αντί μιας διόδου Schottky για την αντίστροφη προστασία εισαγωγής, που μειώνει την πτώση τάσης και την απώλεια ισχύος. Μια καρφίτσα κλεισίματος μειώνει το ήρεμο ρεύμα λιγότερο από σε 7μA κατά τη διάρκεια του κλεισίματος.
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485