Διοικητικό ολοκληρωμένο κύκλωμα πορειών δύναμης TLV1117-18IDCYR TLV1117CDCYR
microchip battery management
,power management integrated circuit
Σταθερός LDO κανονισμός βολτ ρυθμιστών τάσης διοικητικού ολοκληρωμένου κυκλώματος LDO πορειών ισχύος TLV1117-18IDCYR TLV1117CDCYR
1 χαρακτηριστικά γνωρίσματα
- 1,5-β, 1,8-β, 2,5-β, 3,3-β, 5-β, και επιλογές τάσης διευθετήσιμος-παραγωγής
-
Ρεύμα παραγωγής 800 μΑ
-
Διευκρινισμένη τάση εγκατάλειψης στα πολλαπλάσια τωρινά επίπεδα
-
0,2% μέγιστο κανονισμού γραμμών
-
0,4% μέγιστο κανονισμού φορτίων
2 εφαρμογές
-
Ηλεκτρονικές θέσεις πώλησης
-
Ιατρικός, υγεία, και εφαρμογές ικανότητας
-
Εκτυπωτές
-
Συσκευές και άσπρα αγαθά
-
Μετασχηματιστές TV
3 περιγραφή
Η συσκευή TLV1117 είναι ένας θετικός ρυθμιστής τάσης χαμηλός-εγκατάλειψης με σκοπό να παρέχει μέχρι 800 μΑ του ρεύματος παραγωγής. Η συσκευή είναι διαθέσιμη στο 1,5-β, το 1,8-β, το 2,5-β, το 3,3-β, το 5-β, και τις επιλογές τάσης διευθετήσιμος-παραγωγής. Όλα τα εσωτερικά στοιχεία κυκλώματος σχεδιάζονται για να λειτουργήσουν κάτω στο διαφορικό εισαγωγή--παραγωγής 1-β. Η τάση εγκατάλειψης διευκρινίζεται σε ένα μέγιστο 1,3 Β σε 800 μΑ, που μειώνονται στα χαμηλότερα ρεύματα φορτίων.
Πληροφορίες συσκευών
ΑΡΙΘΜΟΣ ΔΙΑΤΑΓΗΣ |
ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑ (ΚΑΡΦΙΤΣΑ) |
ΜΕΓΕΘΟΣ ΣΩΜΑΤΟΣ |
TLV1117DCY |
Μέθυσος-223 (4) |
6,50 χιλ. × 3,50 χιλ. |
TLV1117DRJ |
ΓΙΟΣ (8) |
4,00 χιλ. × 4,00 χιλ. |
TLV1117KVU |
-252 (3) |
6,60 χιλ. × 6,10 χιλ. |
TLV1117KCS |
-220 (3) |
10,16 χιλ. × 8,70 χιλ. |
TLV1117KCT |
-220 (3) |
10,16 χιλ. × 8,59 χιλ. |
TLV1117KTT |
DDPAK, -263 (3) |
10,18 χιλ. × 8,41 χιλ. |

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485
