Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης > Διοικητικό ολοκληρωμένο κύκλωμα πορειών δύναμης TLV1117-18IDCYR TLV1117CDCYR

Διοικητικό ολοκληρωμένο κύκλωμα πορειών δύναμης TLV1117-18IDCYR TLV1117CDCYR

κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
Γραμμικός θετικός ολοκληρωμένου κυκλώματος ρυθμιστών τάσης σταθερός 1 παραγωγή 800mA μέθυσος-223-4
Κατηγορία:
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
Τιμή:
Contact us
Μέθοδος πληρωμής:
Paypal, Western Union, TT
Προδιαγραφές
Μέγιστη λειτουργούσα θερμοκρασία:
+ 125 Γ
Κανονισμός φορτίων:
0,4 %
Τάση εγκατάλειψης:
1.2 Β
Συσκευασία:
Ταινία περικοπών
Ύψος:
1,6 χλστ
Μήκος:
6,5 χλστ
Κυριώτερο σημείο:

microchip battery management

,

power management integrated circuit

Εισαγωγή

Σταθερός LDO κανονισμός βολτ ρυθμιστών τάσης διοικητικού ολοκληρωμένου κυκλώματος LDO πορειών ισχύος TLV1117-18IDCYR TLV1117CDCYR

1 χαρακτηριστικά γνωρίσματα

  • 1,5-β, 1,8-β, 2,5-β, 3,3-β, 5-β, και επιλογές τάσης διευθετήσιμος-παραγωγής
  • Ρεύμα παραγωγής 800 μΑ

  • Διευκρινισμένη τάση εγκατάλειψης στα πολλαπλάσια τωρινά επίπεδα

  • 0,2% μέγιστο κανονισμού γραμμών

  • 0,4% μέγιστο κανονισμού φορτίων

2 εφαρμογές

  • Ηλεκτρονικές θέσεις πώλησης

  • Ιατρικός, υγεία, και εφαρμογές ικανότητας

  • Εκτυπωτές

  • Συσκευές και άσπρα αγαθά

  • Μετασχηματιστές TV

3 περιγραφή

Η συσκευή TLV1117 είναι ένας θετικός ρυθμιστής τάσης χαμηλός-εγκατάλειψης με σκοπό να παρέχει μέχρι 800 μΑ του ρεύματος παραγωγής. Η συσκευή είναι διαθέσιμη στο 1,5-β, το 1,8-β, το 2,5-β, το 3,3-β, το 5-β, και τις επιλογές τάσης διευθετήσιμος-παραγωγής. Όλα τα εσωτερικά στοιχεία κυκλώματος σχεδιάζονται για να λειτουργήσουν κάτω στο διαφορικό εισαγωγή--παραγωγής 1-β. Η τάση εγκατάλειψης διευκρινίζεται σε ένα μέγιστο 1,3 Β σε 800 μΑ, που μειώνονται στα χαμηλότερα ρεύματα φορτίων.

Πληροφορίες συσκευών

ΑΡΙΘΜΟΣ ΔΙΑΤΑΓΗΣ

ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑ (ΚΑΡΦΙΤΣΑ)

ΜΕΓΕΘΟΣ ΣΩΜΑΤΟΣ

TLV1117DCY

Μέθυσος-223 (4)

6,50 χιλ. × 3,50 χιλ.

TLV1117DRJ

ΓΙΟΣ (8)

4,00 χιλ. × 4,00 χιλ.

TLV1117KVU

-252 (3)

6,60 χιλ. × 6,10 χιλ.

TLV1117KCS

-220 (3)

10,16 χιλ. × 8,70 χιλ.

TLV1117KCT

-220 (3)

10,16 χιλ. × 8,59 χιλ.

TLV1117KTT

DDPAK, -263 (3)

10,18 χιλ. × 8,41 χιλ.

ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
Contact us