Κρυσταλλολυχνία MMBT5551 υψηλής τάσης ενισχυτών γενικού σκοπού πυριτίου NPN
MMBT5551 High Voltage Transistor
,NPN Amplifier High Voltage Transistor
,NPN Silicon High Voltage Transistor
Μέθυσος-23 - Κρυσταλλολυχνία δύναμης και DarliCM GROUPons
Αριθμός μερών
BC807-Τ CMBTA56-Τ CMBT4403-Τ CMBTA06 CMBT3906-Τ CMBT3906 CMBTA56 CMBTA42-Τ CMBT4401-Τ
CMBTA42 CMBT3904 CMBT4403 CMBTA92 CMBT5551 CMBT5401 CMBT5551-Τ CMBT3904-Τ CMBTA92-Τ
CMBTA06-Τ CMBT5401-Τ CMBT4401 CMBT9014 MMBT5551
Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά
Mfr. # |
MMBT5551 |
Τοποθετώντας ύφος | SMD/SMT |
Πολικότητα κρυσταλλολυχνιών | NPN |
Διαμόρφωση | Ενιαίος |
Τάση VCEO Max εκπομπών συλλεκτών | 160 Β |
Συλλέκτη-βάσης τάση VCBO | 180 Β |
Τάση βάσεων εκπομπών VEBO | 6 Β |
Τάση κορεσμού συλλέκτης-εκπομπών | 0,2 Β |
Μέγιστο ρεύμα ΣΥΝΕΧΩΝ συλλεκτών | 0,6 Α |
Pd - διασκεδασμός δύναμης | 325 MW |
Προϊόν FT εύρους ζώνης κέρδους | 300 MHZ |
Ελάχιστη λειτουργούσα θερμοκρασία | - 55 Γ |
Μέγιστη λειτουργούσα θερμοκρασία | + 150 Γ |
Κέρδος hfe λ. ΣΥΝΕΧΩΝ συλλεκτών/βάσεων | 80 σε 10 μΑ, 5 Β |
ΣΥΝΕΧΕΣ τρέχον κέρδος hFE Max | 250 σε 10 μΑ, 5 Β |
Τύπος προϊόντων | BJTs - διπολικές κρυσταλλολυχνίες |
Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά (TA = 25°C εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485
