Να στείλετε μήνυμα
ΔΙΟΔΟΙ
ΔΙΟΔΟΙ
  • Εισαγωγή
  • Νεώτερα προϊόντα
Εισαγωγή

ΔΙΟΔΟΙ

Νεώτερα προϊόντα
Εικόνα μέρος # Περιγραφή κατασκευαστής Απόθεμα RFQ
BAS40TW-7-F Ηλεκτρονικό IC Τσιπ Νέο και πρωτότυπο απόθεμα

BAS40TW-7-F Ηλεκτρονικό IC Τσιπ Νέο και πρωτότυπο απόθεμα

Διοδιακή συστοιχία 3 Ανεξάρτητη 40 V 200mA (DC) Επιφανειακή τοποθέτηση 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
BAT46W-7-F Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων συστημάτων

BAT46W-7-F Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων συστημάτων

Δίοδος 100 υποστήριγμα γρασίδι-123 επιφάνειας Β 150mA
2N7002W-7-F Ηλεκτρονικό IC Τσιπ Νέο και πρωτότυπο απόθεμα

2N7002W-7-F Ηλεκτρονικό IC Τσιπ Νέο και πρωτότυπο απόθεμα

Διάδρομος N 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Επιφανειακή επιφάνεια SOT-323
B340Q-13-F Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων αποθεμάτων

B340Q-13-F Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων αποθεμάτων

Επιφανειακή βάση διόδου 40 V 3A SMC
B160-13-F Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων αποθεμάτων

B160-13-F Ηλεκτρονικό τσιπ διασύνδεσης νέων και πρωτότυπων αποθεμάτων

Διοδίος 60 V 1A επιφανειακή τοποθέτηση SMA
DMG3415U-7 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

DMG3415U-7 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

P-Channel 20 υποστήριγμα μέθυσος-23-3 επιφάνειας Β 4A (TA) 900mW (TA)
Η επιφάνεια κρυσταλλολυχνιών 140MHz 625mW FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP τοποθετεί το ΜΈΘΥΣΟ 23 3

Η επιφάνεια κρυσταλλολυχνιών 140MHz 625mW FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP τοποθετεί το ΜΈΘΥΣΟ 23 3

Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP (BJT) - DarliCM GROUPon 100 Β 800 μΑ 140MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 επ
η επιφάνεια 2V 10mA γρασίδι-123 τοποθετεί τη δίοδο bzt52c2v0-7-φ Zener

η επιφάνεια 2V 10mA γρασίδι-123 τοποθετεί τη δίοδο bzt52c2v0-7-φ Zener

Δίοδος 2 Β 500 MW ±5% υποστήριγμα γρασίδι-123 Zener επιφάνειας
GBU608 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

GBU608 ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Πρότυπα 800 Β ενιαίας φάσης διορθωτών γεφυρών μέσω της τρύπας GBU
AP1538SG-13 ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

AP1538SG-13 ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

Ολοκληρωμένο κύκλωμα θετικό διευθετήσιμο 0.8V 1 παραγωγή 3A 8-SOIC ρυθμιστών μετατροπής Buck (πλάτος
AP2303MPTR-G1 IC μνήμης flash ΝΕΟ και πρωτότυπο αποθεματικό

AP2303MPTR-G1 IC μνήμης flash ΝΕΟ και πρωτότυπο αποθεματικό

- Μετατροπέας, ρυθμιστής τάσης DDR IC 1 έξοδος 8-SO-EP
AP1534SG-13 ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

AP1534SG-13 ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

Ολοκληρωμένο κύκλωμα θετικό διευθετήσιμο 0.8V 1 παραγωγή 2A 8-SOIC ρυθμιστών μετατροπής Buck (πλάτος
PI3HDX414FCEEX ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ αποθέματα

PI3HDX414FCEEX ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ αποθέματα

HDMI, DVI, Υποδοχή δέκτη 80-LQFP (10x10)
BC817-16 Δίοδος υψηλού ρεύματος Νέο και αρχικό απόθεμα

BC817-16 Δίοδος υψηλού ρεύματος Νέο και αρχικό απόθεμα

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 45 Β 800 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 (BJT) επιφάνειας 310 MW
BCP5416TA ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ αποθέματα

BCP5416TA ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ αποθέματα

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 45 Β 1 ένα 150MHz 2 υποστήριγμα μέθυσος-223-3 (BJT) επιφάνειας W
BAT760Q-7 Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΚΑΤΑΛΟΣ

BAT760Q-7 Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΚΑΤΑΛΟΣ

Δίοδος 30 υποστήριγμα γρασίδι-323 επιφάνειας Β 1A
BAV170 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

BAV170 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

Η σειρά κοινή κάθοδος 85 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 125mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -236-3, Sc-5
BAV20 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

BAV20 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο

Δίοδος 150 Β 200mA μέσω της τρύπας -35
BAV199 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα

BAV199 Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα

Η σειρά σύνδεση σειράς 1 ζευγαριού 85 διόδων επιφάνεια Β 140mA (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -236-3, Sc-
BAV99W Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΟΣΜΟ

BAV99W Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΟΣΜΟ

Σύνδεση σειράς διόδων 1 ζεύγους 100 V 150 mA Επιφανειακή βάση SC-70, SOT-323
BCV46TC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ

BCV46TC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ

Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP (BJT) - Darlington 60 Β 500 μΑ 200MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 επιφάνει
BCV47QTC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ

BCV47QTC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ

Διπολικό (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 500 mA 170MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
BCV47TC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ αποθέμα

BCV47TC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ αποθέμα

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN (BJT) - Darlington 60 Β 500 μΑ 170MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 επιφάνει
BCX5116TA ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

BCX5116TA ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 45 Β 1 ένα 150MHz 1 υποστήριγμα μέθυσος-89-3 (BJT) επιφάνειας W
BCX5210TA ΝΕΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ αποθέματα

BCX5210TA ΝΕΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ αποθέματα

Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 60 Β 1 ένα 150MHz 1 υποστήριγμα μέθυσος-89-3 (BJT) επιφάνειας W
BAV23A-7-F Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα

BAV23A-7-F Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα

Συστοιχία διόδων 1 ζεύγος κοινής ανόδου 200 V 400 mA (DC) Επιφανειακή βάση TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BAV70W Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα

BAV70W Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα

Συστοιχία διόδων 1 ζεύγος κοινής καθόδου 75 V 300 mA Επιφανειακή βάση SC-70, SOT-323
BCV46QTA ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ αποθέμα

BCV46QTA ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ αποθέμα

Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP (BJT) - Darlington 60 Β 500 μΑ 200MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 επιφάνει
BCV46TA ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ

BCV46TA ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ

Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP (BJT) - Darlington 60 Β 500 μΑ 200MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 επιφάνει
BCV47TA ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΡΘΡΟ

BCV47TA ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΡΘΡΟ

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN (BJT) - Darlington 60 Β 500 μΑ 170MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 επιφάνει