Κρυσταλλολυχνίες 60V 10A 50W D45H8 NPN PNP μέσω της τρύπας στη υψηλή επίδοση 220AB
κατασκευαστής:
STMicroelectronics
Περιγραφή:
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 60 Β 10 Α 50 W (BJT) μέσω της τρύπας -220
Κατηγορία:
ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
Τιμή:
Negotiation
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, ΜΕΤΑΒΙΒΑΣΗ
Προδιαγραφές
Κατηγορίες:
Κρυσταλλολυχνίες - διπολικές (BJT) - ενιαίο
Τύπος κρυσταλλολυχνιών:
PNP
Τρέχων - συλλέκτης (ολοκληρωμένο κύκλωμα) (Max):
10A
Τάση - διακοπή εκπομπών συλλεκτών (Max):
60V
Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, ολοκληρωμένο κύκλωμα:
1V @ 400mA, 8A
Τρέχων - διακοπή συλλεκτών (Max):
10µA
Ολοκληρωμένο κύκλωμα ΣΥΝΕΧΟΥΣ τρέχον κέρδους (hFE) (λ.) @, Vce:
40 @ 4A, 1V
Δύναμη - Max:
50W
Κυριώτερο σημείο:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
Εισαγωγή
D45H8 NPN PNP Τρανζίστορες Διπολικός (BJT) Τρανζίστορας PNP 60V 10A 50W Μέσα από τρύπα TO-220AB
Τρανζίστορες συμπληρωματικής ισχύος
Χαρακτηριστικά
■ Χαμηλή τάση κορεσμού συλλέκτη-εκπομπέα
■ Γρήγορη ταχύτητα αλλαγής
Εφαρμογές
■ ενισχυτής ισχύος
■ Εναλλακτικά κυκλώματα
Περιγραφή
Οι συσκευές κατασκευάζονται με χαμηλής τάσης πολυεπιταξική επίπεδη τεχνολογία.
| Χαρακτηριστικά του προϊόντος | Επιλέξτε όλα |
| Κατηγορίες | Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών |
| Τρανζίστορες - Διπολικές (BJT) - Μοναδικές | |
| Κατασκευαστής | STMικροηλεκτρονική |
| Σειρά | - |
| Συσκευή | Τύπος |
| Κατάσταση τμήματος | Παρωχημένο |
| Τύπος τρανζίστορα | Εθνικό Εθνικό Πρόγραμμα |
| Τρόπος - Συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) | 10Α |
| Η τάση - διάσπαση του συλλέκτη εκπομπής (μέγιστη) | 60V |
| Vce κορεσμός (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
| Τρέχων - Περιορισμός συλλέκτη (μέγιστο) | 10 μA |
| Διορθωτικό μέτρο για την παρακολούθηση των διακυμάνσεων | 40 @ 4A, 1V |
| Δύναμη - Max | 50W |
| Συχνότητα - Μεταβατική περίοδος | - |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | 150°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Μέσα από την τρύπα |
| Πακέτο / Κουτί | ΤΟ-220-3 |
| Πακέτο συσκευής του προμηθευτή | Προς το 220AB |
ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Υλική χαμηλή τάση κορεσμού συλλεκτών πυριτίου κρυσταλλολυχνιών 2SD1899 NPN PNP
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
Παροδικές TV 5000W καταπιεστών κύματος τάσης BZW50-39BRL 180V Transil
90V Clamp 667A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole R-6
Παροδικός καταπιεστής κύματος τάσης P6KE440ARL 15kV 600W -15
776V Clamp 5.2A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 (DO-204AC)
TIP42C διπολική τρέχουσα 65W NPN PNP ομαδοποίηση δύναμης HFE κρυσταλλολυχνιών 100V 6A
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220
SM6T15CAY η παροδική επιφάνεια καταπιεστών τάσης TV τοποθετεί
27.2V Clamp 147A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB (DO-214AA)
2N7002 Δίοδος μικροσκοπίων ΝΕΟΙΚΟΙ και ΠΡΩΤΟΥΡΓΙΚΟΙ
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
BCP52-16 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
STW45NM60 Νέο και αρχικό απόθεμα
N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
STP110N8F6 ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ
N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
STP110N7F6 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ
N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
Υλική χαμηλή τάση κορεσμού συλλεκτών πυριτίου κρυσταλλολυχνιών 2SD1899 NPN PNP |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
Παροδικές TV 5000W καταπιεστών κύματος τάσης BZW50-39BRL 180V Transil |
90V Clamp 667A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole R-6
|
|
|
|
Παροδικός καταπιεστής κύματος τάσης P6KE440ARL 15kV 600W -15 |
776V Clamp 5.2A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 (DO-204AC)
|
|
|
|
TIP42C διπολική τρέχουσα 65W NPN PNP ομαδοποίηση δύναμης HFE κρυσταλλολυχνιών 100V 6A |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
SM6T15CAY η παροδική επιφάνεια καταπιεστών τάσης TV τοποθετεί |
27.2V Clamp 147A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB (DO-214AA)
|
|
|
|
2N7002 Δίοδος μικροσκοπίων ΝΕΟΙΚΟΙ και ΠΡΩΤΟΥΡΓΙΚΟΙ |
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
|
|
|
|
BCP52-16 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
|
|
|
|
STW45NM60 Νέο και αρχικό απόθεμα |
N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
|
|
|
|
STP110N8F6 ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ |
N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
|
|
|
|
STP110N7F6 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ |
N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
|
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
10 PCS