Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος > Υλική χαμηλή τάση κορεσμού συλλεκτών πυριτίου κρυσταλλολυχνιών 2SD1899 NPN PNP

Υλική χαμηλή τάση κορεσμού συλλεκτών πυριτίου κρυσταλλολυχνιών 2SD1899 NPN PNP

κατασκευαστής:
STMicroelectronics
Περιγραφή:
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 60 Β 10 Α 50 W (BJT) μέσω της τρύπας -220
Κατηγορία:
ηλεκτρονικά τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
Τιμή:
Negotiation
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, ΜΕΤΑΒΙΒΑΣΗ
Προδιαγραφές
Ρεύμα συλλεκτών (συνεχές ρεύμα):
Συλλέκτη-βάσης τάση:
60V
Τάση συλλέκτης-εκπομπών:
60V
Emitter-base τάση:
7V
Συχνότητα:
120MHz
Καταπολέμηση της εξουσίας:
2w
Πολικότητα κρυσταλλολυχνιών:
NPN
Λειτουργούντα Temp σειρά:
-55C σε 150C
Κυριώτερο σημείο:

epitaxial planar pnp transistor

,

silicon npn power transistors

Εισαγωγή

2SD1899 NPN PNP Τρανζίστορες Σιλικόνιο NPN PowerTransistor

Περιγραφή

·Μικρή τάση κορεσμού συλλέκτη

·100% δοκιμή χιονοστιβάδας

·Ελάχιστες διακυμάνσεις ανά παρτίδα για ισχυρές επιδόσεις συσκευής και αξιόπιστη λειτουργία


Εφαρμογές

·Εφαρμογές υψηλής συχνότητας μετάβασης

Προδιαγραφές

Κατηγορία: BJT - Γενικός σκοπός
Κατασκευαστής: RENESAS TECHNOLOGY
Συλλέκτης ρεύματος (DC) : 3 (A)
Η τάση συλλέκτη-βάσης: 60 V
Η τάση συλλέκτη-εκδότη: 60 V
Η τάση βάσης του εκδότη: 7 ((V)
Συχνότητα: 120 (((MHz)
Δυναμική διάχυση: 2 ((W)
Εγκατάσταση: Επιφανειακή εγκατάσταση
Περιοχή θερμοκρασίας λειτουργίας: -55C έως 150C
Τύπος συσκευασίας: TO-252
Αριθμός πινών: 2 +Tab
Αριθμός στοιχείων: 1
Τροποποίηση θερμοκρασίας λειτουργίας: στρατιωτική
Κατηγορία: Δύσκολη δύναμη
Ραντ Σκληρωμένο: Όχι
Πολικότητα του τρανζίστορα: NPN
Δύναμη εξόδου: Δεν απαιτείται ((W)
Διαμόρφωση: Μονή
Συνεχή ισχύς: 60@0.2A@2V/50@2A@2V

ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Παροδικές TV 5000W καταπιεστών κύματος τάσης BZW50-39BRL 180V Transil

Παροδικές TV 5000W καταπιεστών κύματος τάσης BZW50-39BRL 180V Transil

90V Clamp 667A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole R-6
Παροδικός καταπιεστής κύματος τάσης P6KE440ARL 15kV 600W -15

Παροδικός καταπιεστής κύματος τάσης P6KE440ARL 15kV 600W -15

776V Clamp 5.2A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 (DO-204AC)
Κρυσταλλολυχνίες 60V 10A 50W D45H8 NPN PNP μέσω της τρύπας στη υψηλή επίδοση 220AB

Κρυσταλλολυχνίες 60V 10A 50W D45H8 NPN PNP μέσω της τρύπας στη υψηλή επίδοση 220AB

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
TIP42C διπολική τρέχουσα 65W NPN PNP ομαδοποίηση δύναμης HFE κρυσταλλολυχνιών 100V 6A

TIP42C διπολική τρέχουσα 65W NPN PNP ομαδοποίηση δύναμης HFE κρυσταλλολυχνιών 100V 6A

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220
SM6T15CAY η παροδική επιφάνεια καταπιεστών τάσης TV τοποθετεί

SM6T15CAY η παροδική επιφάνεια καταπιεστών τάσης TV τοποθετεί

27.2V Clamp 147A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB (DO-214AA)
2N7002 Δίοδος μικροσκοπίων ΝΕΟΙΚΟΙ και ΠΡΩΤΟΥΡΓΙΚΟΙ

2N7002 Δίοδος μικροσκοπίων ΝΕΟΙΚΟΙ και ΠΡΩΤΟΥΡΓΙΚΟΙ

N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
BCP52-16 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ

BCP52-16 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
STW45NM60 Νέο και αρχικό απόθεμα

STW45NM60 Νέο και αρχικό απόθεμα

N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
STP110N8F6 ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ

STP110N8F6 ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ

N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
STP110N7F6 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

STP110N7F6 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
Παροδικές TV 5000W καταπιεστών κύματος τάσης BZW50-39BRL 180V Transil

Παροδικές TV 5000W καταπιεστών κύματος τάσης BZW50-39BRL 180V Transil

90V Clamp 667A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole R-6
Παροδικός καταπιεστής κύματος τάσης P6KE440ARL 15kV 600W -15

Παροδικός καταπιεστής κύματος τάσης P6KE440ARL 15kV 600W -15

776V Clamp 5.2A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 (DO-204AC)
Κρυσταλλολυχνίες 60V 10A 50W D45H8 NPN PNP μέσω της τρύπας στη υψηλή επίδοση 220AB

Κρυσταλλολυχνίες 60V 10A 50W D45H8 NPN PNP μέσω της τρύπας στη υψηλή επίδοση 220AB

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
TIP42C διπολική τρέχουσα 65W NPN PNP ομαδοποίηση δύναμης HFE κρυσταλλολυχνιών 100V 6A

TIP42C διπολική τρέχουσα 65W NPN PNP ομαδοποίηση δύναμης HFE κρυσταλλολυχνιών 100V 6A

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220
SM6T15CAY η παροδική επιφάνεια καταπιεστών τάσης TV τοποθετεί

SM6T15CAY η παροδική επιφάνεια καταπιεστών τάσης TV τοποθετεί

27.2V Clamp 147A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB (DO-214AA)
2N7002 Δίοδος μικροσκοπίων ΝΕΟΙΚΟΙ και ΠΡΩΤΟΥΡΓΙΚΟΙ

2N7002 Δίοδος μικροσκοπίων ΝΕΟΙΚΟΙ και ΠΡΩΤΟΥΡΓΙΚΟΙ

N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
BCP52-16 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ

BCP52-16 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
STW45NM60 Νέο και αρχικό απόθεμα

STW45NM60 Νέο και αρχικό απόθεμα

N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
STP110N8F6 ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ

STP110N8F6 ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ

N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
STP110N7F6 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

STP110N7F6 ΝΕΟ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΤΥΠΟ ΣΤΟΚ

N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
10 PCS