Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης > Κρυσταλλολυχνία MMBT5551 υψηλής τάσης ενισχυτών γενικού σκοπού πυριτίου NPN

Κρυσταλλολυχνία MMBT5551 υψηλής τάσης ενισχυτών γενικού σκοπού πυριτίου NPN

κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 160 Β 600 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 (BJT) επιφάνειας 350 MW
Κατηγορία:
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
Τιμή:
Bargain
Μέθοδος πληρωμής:
T/T
Προδιαγραφές
Περιγραφή:
Διπολικές κρυσταλλολυχνίες - BJT SOT23, NPN, 0.6A, 160V, HighVolt
ΤΥΠΟΣ:
Διπολικές κρυσταλλολυχνίες - BJT
Όνομα:
Τρανζίστορ
Αριθμός μερών:
MMBT5551
Συσκευασία:
Μέθυσος-23-3
Μικρή διαταγή:
Υποδοχή
Κυριώτερο σημείο:

MMBT5551 High Voltage Transistor

,

NPN Amplifier High Voltage Transistor

,

NPN Silicon High Voltage Transistor

Εισαγωγή

2N5551 / MMBT5551 NPN 通用放大器 MMBT5550LT1 高压晶体管 NPN 硅

Μέθυσος-23 - Κρυσταλλολυχνία δύναμης και DarliCM GROUPons

Αριθμός μερών

BC807-Τ CMBTA56-Τ CMBT4403-Τ CMBTA06 CMBT3906-Τ CMBT3906 CMBTA56 CMBTA42-Τ CMBT4401-Τ
CMBTA42 CMBT3904 CMBT4403 CMBTA92 CMBT5551 CMBT5401 CMBT5551-Τ CMBT3904-Τ CMBTA92-Τ
CMBTA06-Τ CMBT5401-Τ CMBT4401 CMBT9014 MMBT5551

Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά

Mfr. #

MMBT5551

Τοποθετώντας ύφος SMD/SMT
Πολικότητα κρυσταλλολυχνιών NPN
Διαμόρφωση Ενιαίος
Τάση VCEO Max εκπομπών συλλεκτών 160 Β
Συλλέκτη-βάσης τάση VCBO 180 Β
Τάση βάσεων εκπομπών VEBO 6 Β
Τάση κορεσμού συλλέκτης-εκπομπών 0,2 Β
Μέγιστο ρεύμα ΣΥΝΕΧΩΝ συλλεκτών 0,6 Α
Pd - διασκεδασμός δύναμης 325 MW
Προϊόν FT εύρους ζώνης κέρδους 300 MHZ
Ελάχιστη λειτουργούσα θερμοκρασία - 55 Γ
Μέγιστη λειτουργούσα θερμοκρασία + 150 Γ
Κέρδος hfe λ. ΣΥΝΕΧΩΝ συλλεκτών/βάσεων 80 σε 10 μΑ, 5 Β
ΣΥΝΕΧΕΣ τρέχον κέρδος hFE Max 250 σε 10 μΑ, 5 Β
Τύπος προϊόντων BJTs - διπολικές κρυσταλλολυχνίες

Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά (TA = 25°C εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)

ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
10 pcs