Φίλτρα
Κατηγορίες
Φίλτρα
λέξεις κλειδιά [ silicon npn power transistors ] Αντιστοιχία 177 προϊόντα.
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | κατασκευαστής | Απόθεμα | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD439 Μονάδα Power Mosfet Πλαστικό τρανζίστορ πυριτίου NPN μέσης ισχύος |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 4 A 3MHz 36 W Through Hole TO-126
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
TIP102 Τρανζίστορ Mosfet ΣΥΜΠΛΗΡΩΜΑΤΙΚΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΙΣΧΥΣ ΠΥΡΙΤΙΟΥ DARLICM GROUPON |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 8 A 2 W Through Hole TO-220
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
TIP122 Mosfet δύναμης συμπληρωματικές κρυσταλλολυχνίες DarliCM GROUPon δύναμης πυριτίου κρυσταλλολυχνιών |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Μέσης ησχύος μετατροπή κρυσταλλολυχνιών δύναμης BD681 NPN DarliCM GROUPon |
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN (BJT) - DarliCM GROUPon 100 Β 4 Α 40 W μέσω της τρύπας μέθυσος-32-3
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Mosfet δύναμης MJE15032G MJE15033G συμπληρωματικό mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνιών |
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 250 Β 8 Α 30MHz 50 W (BJT) μέσω της τρύπας -220
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BFR520 Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνία NPN ευρείας ζώνης κρυσταλλολυχνία 9 Ghz |
Υποστήριγμα Sc-75 επιφάνειας κρυσταλλολυχνιών NPN 15V 70mA 9GHz 150mW RF
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC846B ηλεκτρικό ολοκληρωμένο κύκλωμα κρυσταλλολυχνιών NPN γενικού σκοπού πυριτίου |
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 65 Β 100 μΑ 300MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 (BJT) επιφάνειας 350 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
2SC2482 -92 πλαστικές κρυσταλλολυχνίες συσκευασίας (NPN), κρυσταλλολυχνία Npn γενικού σκοπού |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 50MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BCV49 Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνία, υψηλό ρεύμα συλλεκτών κρυσταλλολυχνιών DarliCM GROUPon πυριτίου NPN |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 60 V 500 mA 220MHz 1.3 W Surface Mount SOT-89
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
2SC4793 (Φ, Μ) τσιπ Integarted Circuts 3 καρφιτσών κρυσταλλολυχνιών τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ηλεκτρονικής |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 1 A 100MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
PMBT2222AYS115 Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνία, mosfet δύναμης μετατροπής της PHILIPS NPN |
Διπολική (BJT) Συστοιχία τρανζίστορ
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
ΕΠΊΠΕΔΟ (ΜΈΣΗΣ ΗΣΧΎΟΣ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΊΕΣ) mosfet δύναμης μετατροπής ΠΥΡΙΤΊΟΥ ZTX653 NPN |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2 A 175MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Κρυσταλλικές επίπεδες κρυσταλλολυχνίες δύναμης πυριτίου PNP/NPN 2SC5707 για την υψηλής τάσης μετατροπή |
Η διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 50 Β 8 (BJT) μια επιφάνεια 330MHz 1 W τοποθετεί το tp-FA
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
2sc2229-Υ mosfet δύναμης Mosfet δύναμης ολοκληρωμένου κυκλώματος τριπλός διασκορπισμένος τύπος πυριτίου NPN κρυσταλλολυχνιών (διαδικασία PCT) |
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 150 Β 50 μΑ 120MHz (BJT) 800 MW μέσω της τρύπας -92MOD
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
2SC5171 ακουστικός κρυσταλλικός τύπος πυριτίου NPN κρυσταλλολυχνιών ολοκληρωμένου κυκλώματος ενισχυτών δύναμης 200 MHZ |
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 180 Β 2 Α 200MHz 2 W (BJT) μέσω της τρύπας -220NIS
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
MMBT4403LT1G mosfet υψηλής δύναμης μετατροπής κρυσταλλολυχνίες, κρυσταλλολυχνίες δύναμης πυριτίου PNP |
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 40 Β 600 μΑ 200MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 (BJT) επιφάνειας 300 MW (-2
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
IRF9540 mosfet δύναμης Mosfet δύναμης ολοκληρωμένου κυκλώματος κρυσταλλολυχνία 19A, 100V, 0,200 ωμ, P-Channel MOSFETs δύναμης |
P-Channel 100 V 19A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
LT1086CM-3.3 mosfet δύναμης τσιπ Integarted Circuts ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ηλεκτρονικής ενότητας |
Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 1.5A 3-DDPAK
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
MJD340TF Τρανζίστορ ισχύος υψηλής τάσης D-PAK Μόσφετ ισχύος μεταγωγής |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 1.56 W Surface Mount D-Pak
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
LD1117S12TR Mosfet ισχύος χαμηλή πτώση κρυσταλλολυχνιών σταθερή και διευθετήσιμοι θετικοί ρυθμιστές τάσης |
Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 800mA SOT-223
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
FCX605TA 20V NPN SILICON ΥΨΗΛΗ ΤΑΣΗ DARLICM GROUPON TRANSISTOR mosfet γενικής χρήσης |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 120 V 1 A 150MHz 1 W Surface Mount SOT-89-3
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
PBSS4112PANP, Mosfet 115 δύναμης χαμηλή VCEsat (BISS) κρυσταλλολυχνία κρυσταλλολυχνιών NPN/NPN |
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 120V 1A 120MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
2SC5242 3 κρυσταλλική κρυσταλλολυχνία πυριτίου κρυσταλλολυχνιών NPN καρφιτσών αρχική |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 17 A 30MHz 130 W Through Hole TO-3P
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC847B μέθυσος-23 διπολική SMD κρυσταλλολυχνία 1F 1FW NPN |
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
MMBT3904-7-Φ Η ΠΟΛΥ ΕΚΠΟΜΠΏΝ ΕΠΙΦΆΝΕΙΑ ΣΗΜΆΤΩΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΏΝ NPN ΜΙΚΡΉ ΤΟΠΟΘΕΤΕΊ ΤΗΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΊΑ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC847A διπλά Mosfet δύναμης τμήματα ηλεκτρονικής πυριτίου κρυσταλλολυχνιών NPN |
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 45 Β 100 μΑ 300MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 (BJT) επιφάνειας 250 MW (-2
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
2SC945 Ενισχυτής συχνότητας ήχου Τρανζίστορ υψηλής συχνότητας Osc Npn |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 150MHz 400 mW Through Hole TO-92
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνιών πυριτίου NPN κρυσταλλική κρυσταλλολυχνία 2SC5200 |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-264
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
PZT2222A Power Mosfet Transistor NPN ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΓΕΝΙΚΗΣ ΧΡΗΣΗΣ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 1 W Surface Mount SOT-223
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Τρανζίστορ υψηλής τάσης MMBT5551LT1G Power Mosfet Τρανζίστορ NPN πυρίτιο |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
NJW0302G συμπληρωματική Mosfet δύναμης μετατροπής κρυσταλλολυχνία, NPN - διπολικές κρυσταλλολυχνίες δύναμης PNP |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P-3L
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Τρανζίστορ FZT653TA Power Mosfet Npn Silicon Planar High Performance Transistor |
TRANS NPN 100V 2A SOT223-3
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Τρανζίστορ MPSA42 Power Mosfet Τρανζίστορ υψηλής τάσης NPN χαμηλού ρεύματος |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Κρυσταλλολυχνία (Npn) για τις γενικές εφαρμογές AF, υψηλός συλλέκτης τρέχον Bc817-40 |
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 45 Β 500 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-23 (BJT) επιφάνειας 300 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC847C Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνιών γενικού σκοπού npn κρυσταλλολυχνία μέθυσος-23 ΔΙΠΟΛΙΚΉ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΊΑ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΏΝ |
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 45 Β 100 μΑ 300MHz υποστήριγμα μέθυσος-23 (BJT) επιφάνειας 200 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BC807-40 μέθυσος-23 ΔΙΠΟΛΙΚΌΣ ενισχυτής γενικού σκοπού ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΏΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΏΝ (PNP) PNP ενσωμάτωσε τον ημιαγωγό |
Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 45 Β 500 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-23 (BJT) επιφάνειας 300 MW
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
PBSS4320T 20 χαμηλό VCEsat mosfet δύναμης μετατροπής κρυσταλλολυχνιών Β NPN |
Η διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 20 Β 2 (BJT) ένα 100MHz επιφάνεια 540 MW τοποθετεί -236AB
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Τρανζίστορ IC Τρανζίστορ NPN Power Mosfet BCP54 Ενισχυτής γενικής χρήσης |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 1.5 A 1.5 W Surface Mount SOT-223-4
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
DDTC144EE-7-F NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 TRANSISTOR SURFACE MONT |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount SOT-523
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Κρυσταλλολυχνία BC848B γενικού σκοπού NPN |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-23
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
BT151-500R N Κανάλι MOS FET NPN Τρανζίστορ Τρανζίστορ Τρανζίστορ 3 ακίδων |
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Ολοκληρωμένα κυκλώματα ηλεκτρονικής κρυσταλλολυχνιών γενικού σκοπού BC817-25LT1G NPN |
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 45 Β 500 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 (BJT) επιφάνειας 300 MW (-2
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
MMBTA43LT1G mosfet δύναμης υψηλής τάσης κρυσταλλολυχνίες, mosfet δύναμης RF κρυσταλλολυχνίες |
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 200 Β 50 μΑ 50MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 (BJT) επιφάνειας 225 MW (-23
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Τρανζίστορ μονάδας EMD3T2R Power Mosfet Γενικής χρήσης (Διπλά Ψηφιακά Τρανζίστορ) |
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία πυριτίου PNP, ακουστικό mosfet δύναμης 2SB1560 |
Διπολικό τρανζίστορ (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Lm2577t-adj 3 η κρυσταλλολυχνία ΑΠΛΌ switcher-ρ καρφιτσών επιταχύνει το ρυθμιστή τάσης |
Boost, Flyback, Forward Converter Switching Regulator IC Positive Adjustable 1.23V 1 Output 3A (Switch) TO-220-5
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
MGW12N120D Mosfet δύναμης μονωμένη κρυσταλλολυχνία διπολική κρυσταλλολυχνία πυλών με την αντιπαράλληλη δίοδο |
IGBT
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
TIP120 Mosfet δύναμης συμπληρωματικές κρυσταλλολυχνίες πυριτίου κρυσταλλολυχνιών |
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN (BJT) - DarliCM GROUPon 60 Β 5 Α 2 W μέσω της τρύπας -220
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Κρυσταλλικό επίπεδο ακουστικό mosfet 2SB1560, δύναμης πυριτίου PNP |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
MMBT4401LT1G Mosfet δύναμης μετατροπής υψηλή δύναμη 225 MW PD κρυσταλλολυχνιών |
Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 40 Β 600 μΑ 250MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 (BJT) επιφάνειας 300 MW (-2
|
Κατασκευαστής
|
|
|