Νέοι & αρχικοί ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΤΕΣ TMS320C50PQ80 ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΗΜΑΤΩΝ τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
; ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΤΕΣ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΣΗΜΑΤΩΝ
*Powerful δεκαεξάμπιτο TMS320C5x ΚΜΕ;
*20-, ενιαίος-κύκλος 25-, 35-, και 50 NS
Χρόνος εκτέλεσης οδηγίας για τη λειτουργία 5-β;
*25-, οδηγία ενιαίος-κύκλων 40-, και 50 NS
Χρόνος εκτέλεσης για τη λειτουργία 3-β;
*Single-Cycle 16 × δεκαεξάμπιτα πολλαπλασιάζουν/προσθέτουν;
δεκαεξάμπιτος μέγιστος προσπελάσιμος × *224K
Εξωτερικό διάστημα μνήμης (πρόγραμμα 64K, 64K
Στοιχεία, 64K I/O, και 32K σφαιρικό);
*2K, 4K, 8K, 16K, δεκαεξάμπιτη ενιαίος-πρόσβαση × 32K
Πρόγραμμα ROM -τσιπ;
*1K, 3K, 6K, δεκαεξάμπιτη ενιαίος-πρόσβαση × 9K
Πρόγραμμα -τσιπ/RAM στοιχείων (SARAM);
Πρόγραμμα/στοιχεία -τσιπ διπλός-πρόσβασης *1K
RAM (DARAM);
* Σύνολο - διπλός σύγχρονος τμηματικός λιμένας για
Διεπαφή κωδικοποιητών/αποκωδικοποιητών;
(TDM) ο τμηματικός λιμένας;
*Hardware ή λογισμικού ικανότητα αναμονή-κρατικής παραγωγής;
*On-Chip χρονόμετρο για τις διαδικασίες ελέγχου;
*Repeat οδηγίες για την αποδοτική χρήση του διαστήματος προγράμματος;
Ο τμηματικός λιμένας;
*Host διεπαφή λιμένων;
*Multiple με κλείδωμα φάσης βρόχος (PLL)
Επιλογές χρονομέτρησης (×1, ×2, ×3, ×4, ×5, ×9 ανάλογα με τη συσκευή);
*Block κινήσεις για τη διαχείριση στοιχείων/προγράμματος;
*On-Chip ανίχνευση-βασισμένη λογική άμιλλας;
*Boundary ανίχνευση;
*Five επιλογές συσκευασίας
– επίπεδη συσκευασία τετραγώνων 100-καρφιτσών (επίθημα PJ)
– επίπεδη συσκευασία τετραγώνων 100-καρφιτσών λεπτή (επίθημα PZ)
– επίπεδη συσκευασία τετραγώνων 128-καρφιτσών λεπτή (επίθημα PBK)
– επίπεδη συσκευασία τετραγώνων 132-καρφιτσών (επίθημα PQ)
– επίπεδη συσκευασία τετραγώνων 144-καρφιτσών λεπτή (επίθημα PGE);
* Ο χαμηλής ισχύος διασκεδασμός και δύναμη-κατεβάζει τους τρόπους:
– 47 μΑ (2,35 mA/MIP) σε 5 Β, ρολόι 40-MHZ (μέσο)
– 23 μΑ (1,15 mA/MIP) σε 3 Β, ρολόι 40-MHZ (μέσο)
– 10 μΑ σε 5 Β, ρολόι 40-MHZ (τρόπος IDLE1)
– 3 μΑ σε 5 Β, ρολόι 40-MHZ (τρόπος IDLE2)
– 5 µA σε 5 Β, ρολόγια μακριά (τρόπος IDLE2);
Στατική CMOS τεχνολογία *High-Performance;
*IEEE τυποποιημένος λιμένας δοκιμή-πρόσβασης 1149,1 † (JTAG)
περιγραφή
Η παραγωγή TMS320C5x των επεξεργαστών ψηφιακών σημάτων της Texas Instruments (TITM) TMS320 (DSPs) κατασκευάζεται με τη στατική τεχνολογία ολοκληρωμένων κυκλωμάτων CMOS το αρχιτεκτονικό σχέδιο είναι βασισμένο σε αυτό ενός προηγούμενου Tj DSP, το TMS320C25. Ο συνδυασμός προηγμένης αρχιτεκτονικής του Χάρβαρντ, περιφερειακών μονάδων -τσιπ, μνήμης -τσιπ, και ενός ιδιαίτερα εξειδικευμένου συνόλου οδηγίας είναι η βάση της λειτουργικών ευελιξίας και της ταχύτητας των “συσκευών ‡ C5x. Εκτελούν μέχρι 50 εκατομμύριο οδηγίες ανά δευτερόλεπτο (MIPS).
Οι “συσκευές C5x προσφέρουν αυτά τα πλεονεκτήματα: ;
- Ενισχυμένο αρχιτεκτονικό σχέδιο TMS320 για την αυξανόμενες απόδοση και τη μεταβλητότητα;
- Μορφωματικό αρχιτεκτονικό σχέδιο για τη γρήγορη ανάπτυξη των συσκευών υποπροϊόντος;
- Προηγμένη τεχνολογία επεξεργασίας ολοκληρωμένων κυκλωμάτων για την αυξανόμενη απόδοση;
- Πρός τα πάνω-συμβατός κωδικός πηγής (ο κωδικός πηγής για “C1x και” C2x DSPs είναι ανοδικός - συμβατό σύστημα με “C5x DSPs.);
- Η ενισχυμένη οδηγία TMS320 έθεσε για τους γρηγορότερους αλγορίθμους και για τη βελτιστοποιημένη λειτουργία υψηλού επιπέδου γλώσσας
- ; Νέες τεχνικές στατικός-σχεδίου για την κατανάλωση ισχύος και την ανοχή ακτινοβολίας
TMS320C50, TMS320LC50, TMS320C51, TMS320LC51, TMS320C53, TMS320LC53
PQ ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑ
(ΤΟΠ ΑΠΟΨΗ)
απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις πέρα από τη λειτουργούσα σειρά θερμοκρασίας περιβαλλοντικός-αέρα (εκτός αν αναφέρεται διαφορετικά) (“320C5x μόνο) †
Σειρά τάσης ανεφοδιασμού, VDD (δείτε τη σημείωση 3)………………………………. – 0,3 Β σε 7 Β
Σειρά τάσης εισαγωγής, VI.…………………………………………. – 0,3 Β σε 7 Β
Σειρά τάσης παραγωγής, VO…………………………………………. – 0,3 Β σε 7 Β
Λειτουργούσα σειρά περιβαλλοντικής θερμοκρασίας, TA……………………………… – 40°C σε 85°C
Λειτουργούσα θερμοκρασία περίπτωσης, TC……………………………………… 0°C σε 85°C
Σειρά θερμοκρασίας αποθήκευσης, Tstg…………………………………… – 55°C σε 150°C
† Τονίζει πέρα από εκείνους που απαριθμούνται κάτω από τις «απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις» μπορεί να προκαλέσει τη μόνιμη ζημία στη συσκευή. Αυτές είναι εκτιμήσεις πίεσης μόνο, και η λειτουργική λειτουργία της συσκευής σε αυτοί ή οποιουσδήποτε άλλουσδήποτε όρους πέρα από εκείνους που υποδεικνύονται υπό τους «συνιστώμενους λειτουργούντες όρους» δεν είναι υπονοούμενη. Η έκθεση στους απόλυτος-μέγιστο-εκτιμημένους όρους για τις εκτεταμένες περιόδους μπορεί να έχει επιπτώσεις στην αξιοπιστία συσκευών.
ΣΗΜΕΙΩΣΗ 3: Όλες οι τιμές τάσης είναι όσον αφορά VSS.
συνιστώμενοι λειτουργούντες όροι (“320C5x μόνο)
Λ. NOM MAX | ΜΟΝΑΔΑ | ||
Τάση ανεφοδιασμού VDD | 4.75 5 5.25 | Β | |
Τάση ανεφοδιασμού VSS | 0 | Β | |
Υψηλού επιπέδου τάση εισαγωγής VIH | X2/CLKIN, CLKIN2 | 3 VDD+0.3 | Β |
CLKX, CLKR, TCLKX, TCLKR | 2.5 VDD+0.3 | Β | |
Όλες οι άλλες εισαγωγές | 2 VDD+0.3 | Β | |
Χαμηλού επιπέδου τάση εισαγωγής VIL | X2/CLKIN, CLKIN2, CLKX, CLKR, TCLKX, TCLKR | – 0,3 0,7 | Β |
Όλες οι άλλες εισαγωγές | – 0,3 0,8 | Β | |
Υψηλού επιπέδου ρεύμα παραγωγής IOH (δείτε τη σημείωση 4) | – 300 ‡ | µA | |
Χαμηλού επιπέδου ρεύμα παραγωγής IOL | 2 | μΑ | |
Λειτουργούσα θερμοκρασία περίπτωσης TC | 0 85 | °C | |
TA που λειτουργεί την περιβαλλοντική θερμοκρασία | – 40 85 | °C |
‡ Αυτό το IOH μπορεί να ξεπεραστεί κατά τη χρησιμοποίηση ενός 1 pulldown kΩ αντιστάτη στην παραγωγή τμηματικών λιμένων TADD TDM εντούτοις, αυτή η παραγωγή ανταποκρίνεται ακόμα στις προδιαγραφές VOH υπό αυτές τις συνθήκες.
ΣΗΜΕΙΩΣΗ 4: Το σχήμα 9 παρουσιάζει κύκλωμα φορτίων δοκιμής και λογαριάζει 10 και το σχήμα 11 παρουσιάζει επίπεδα αναφοράς τάσης.