Η επιφάνεια τοποθετεί Ferrite SMD το διορθωτή Schottky υψηλής τάσης χαντρών SS1H10-E3/61T
ferrite bead model
,multilayer ceramic chip capacitors
Η επιφάνεια τοποθετεί Ferrite SMD το διορθωτή Schottky υψηλής τάσης χαντρών SS1H10-E3-61T
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΓΝΩΡΊΣΜΑΤΑ
• Συσκευασία μικρής ακτινοβολίας
• Ιδανικό για την αυτοματοποιημένη τοποθέτηση
• Guardring για overvoltage την προστασία
• Χαμηλής ισχύος απώλειες, υψηλή αποδοτικότητα
• Χαμηλή μπροστινή πτώση τάσης
• Χαμηλό ρεύμα διαρροής
• Υψηλή ικανότητα κύματος
• Συναντά το επίπεδο 1 MSL, ανά j-STD-020, ΕΆΝ μέγιστη αιχμή 260 °C
• Εμβύθιση 260 ύλης συγκολλήσεως δεκαετία του '40 °C
• Συστατικό σύμφωνα με RoHS 2002/95/ΕΚ και WEEE 2002/96/ΕΚ
| ΑΡΧΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ | |
| ΕΑΝ (AV) | 1.0 Α |
| VRRM | 90 Β σε 100 Β |
| IFSM | 50 Α |
| VF | 0,62 Β |
| IR | 1.0 µA |
| TJ μέγιστο. | 175 °C |
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ
Για τη χρήση στους αναστροφείς υψηλής συχνότητας χαμηλής τάσης, να κάνει ελεύθερο πεντάλ, τους μετατροπείς ρεύμα--συνεχές ρεύμα, και τις εφαρμογές προστασίας πολικότητας.
ΜΗΧΑΝΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ
Περίπτωση: -214AC (SMA) εποξικός συναντά την εκτίμηση ευφλέκτου UL 94V-0
Τερματικά: Ο κασσίτερος μεταλλινών κάλυψε τους μολύβδους, solderable ανά j-STD-002 και JESD22-B102
E3 το επίθημα για τον καταναλωτικό βαθμό, συναντά JESD που 201 δοκιμή μουστακιών κατηγορίας 1A, επίθημα HE3 για τον υψηλό βαθμό αξιοπιστίας (AEC Q101 κατάλληλο), συναντούν JESD 201 κατηγορία 2 δοκιμή μουστακιών
Πολικότητα: Η ζώνη χρώματος δείχνει το τέλος καθόδων
ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ ΚΑΙ ΚΑΜΠΥΛΕΣ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΩΝ
(TA = 25 °C εκτός αν αναφέρεται διαφορετικά)
Γρήγορη δίοδος SOT23 1N4148W-E3-08 μετατροπής περίπτωσης RoHS SOD123
ΓΡΑΣΊΔΙ LL42-GS08 30V 200mA - 80 δίοδοι Schottky σημάτων
SMBJ170A-E3/52 τάση VISHAY απόκλισης μέγιστης ισχύος σφυγμού 600W 17V
-247 Mosfet 12A 200V Π δύναμης VISHAY κανάλι IRFP9240PBF
VO0630T Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΟΣΜΟ
αντιστάτες MMB02070C1802FB200 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF
MMB02070C1004FB200 αντι αντιστάτης τσιπ θείου SMD για την ενεργό θέση μερών λεπτών ταινιών τηλεπικοινωνιών
MMB02070C1503FB200 αντιστάτης 150 λεπτών ταινιών KOhms ±1% αντιστάτης ταινιών μετάλλων MELF 0207
Αντιστάτης ωμ SMM02040C3903FB300 MELF 0204 390k, αυτοκίνητος αντιστάτης έρματος αντι θείου
Αντιστάτης 0.4W 2/5W 0204 αντι θείο 2,2 τσιπ MMA02040C2201FB300 SMD KOhms
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
Γρήγορη δίοδος SOT23 1N4148W-E3-08 μετατροπής περίπτωσης RoHS SOD123 |
Diode 75 V 150mA Surface Mount SOD-123
|
|
|
|
ΓΡΑΣΊΔΙ LL42-GS08 30V 200mA - 80 δίοδοι Schottky σημάτων |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-80 MiniMELF
|
|
|
|
SMBJ170A-E3/52 τάση VISHAY απόκλισης μέγιστης ισχύος σφυγμού 600W 17V |
275V Clamp 2.2A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
|
|
|
|
-247 Mosfet 12A 200V Π δύναμης VISHAY κανάλι IRFP9240PBF |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
|
|
|
|
VO0630T Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΟΣΜΟ |
Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 2 Channel 1kV/µs CMTI 8-SOIC
|
|
|
|
αντιστάτες MMB02070C1802FB200 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF |
18 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|
|
|
|
MMB02070C1004FB200 αντι αντιστάτης τσιπ θείου SMD για την ενεργό θέση μερών λεπτών ταινιών τηλεπικοινωνιών |
1 MOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|
|
|
|
MMB02070C1503FB200 αντιστάτης 150 λεπτών ταινιών KOhms ±1% αντιστάτης ταινιών μετάλλων MELF 0207 |
150 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|
|
|
|
Αντιστάτης ωμ SMM02040C3903FB300 MELF 0204 390k, αυτοκίνητος αντιστάτης έρματος αντι θείου |
390 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Thin Film
|
|
|
|
Αντιστάτης 0.4W 2/5W 0204 αντι θείο 2,2 τσιπ MMA02040C2201FB300 SMD KOhms |
2.2 kOhms ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|