Πλαστικό mosfet δύναμης DarliCM GROUPon συμπληρωματικό, κρυσταλλολυχνίες δύναμης πυριτίου 2N6038
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Πλαστικό mosfet δύναμης DarliCM GROUPon συμπληρωματικό, κρυσταλλολυχνίες δύναμης πυριτίου 2N6038
Οι πλαστικές κρυσταλλολυχνίες δύναμης πυριτίου DarliCM GROUPon συμπληρωματικές σχεδιάζονται για τον ενισχυτή γενικού σκοπού και οι εφαρμογές μετατροπής.
• Υψηλό ΣΥΝΕΧΕΣ τρέχον κέρδος — hFE = 2000 (τύπος) @ ολοκληρωμένος κύκλωμα = 2,0 ΠΑΧ
• Τάση στήριξης συλλέκτης-εκπομπών — @ mAdc 100
VCEO (sus) = 60 Vdc (λ.) — 2N6035, 2N6038 = 80 Vdc
(Λ.) — 2N6036, 2N6039
• Διαβιβάστε την προκατειλημμένη τρέχουσα ικανότητα δεύτερης διακοπής IS/b = 1,5 ΠΑΧ @ 25 Vdc
• Μονολιθική κατασκευή με τους ενσωματωμένους base-Emitter αντιστάτες στον πολλαπλασιασμό LimitELeakage
• Αναλογία πλαστική συσκευασία εξοικονομητικού χώρου υψηλή απόδοση--κόστους -225AA
| Εκτίμηση | Σύμβολο | Αξία | Μονάδα |
|
Τάση 2N6034 Collector−Emitter 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCEO |
40 60 80 |
Vdc |
|
Τάση 2N6034 Collector−Base 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCBO |
40 60 80 |
Vdc |
| Τάση Emitter−Base | VEBO | 5.0 | Vdc |
|
Ρεύμα συλλεκτών Συνεχής Αιχμή |
Ολοκληρωμένο κύκλωμα |
4.0 8.0 |
ΠΑΧ Apk |
| Ρεύμα βάσεων | IB | 100 | mAdc |
|
Συνολικός διασκεδασμός συσκευών @ TC = 25°C Derate επάνω από 25°C |
PD |
40 320 |
W mW/°C |
|
Συνολικός διασκεδασμός συσκευών @ TC = 25°C Derate επάνω από 25°C |
PD |
1.5 12 |
W mW/°C |
| Σειρά θερμοκρασίας συνδέσεων λειτουργίας και αποθήκευσης | TJ, Tstg | – 65 έως +150 | °C |
| Χαρακτηριστικό | Σύμβολο | Max | Μονάδα |
| Θερμική αντίσταση, Junction−to−Case | RJC | 3.12 | °C/W |
| Θερμική αντίσταση, Junction−to−Ambient | RJA | 83.3 | °C/W |
Τονίζει ότι η υπέρβαση των μέγιστων εκτιμήσεων μπορεί να βλάψει τη συσκευή. Οι μέγιστες εκτιμήσεις είναι εκτιμήσεις πίεσης μόνο. Η λειτουργική λειτουργία επάνω από τους συνιστώμενους λειτουργούντες όρους δεν είναι υπονοούμενη. Η εκτεταμένη έκθεση τονίζει επάνω από τους συνιστώμενους λειτουργούντες όρους μπορεί να έχει επιπτώσεις στην αξιοπιστία συσκευών.
| Χαρακτηριστικό | Σύμβολο | Λ. | Max | Μονάδα |
| ΑΠΟ ΤΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ | ||||
|
Τάση στήριξης Collector−Emitter (Ολοκληρωμένος κύκλωμα = 100 mAdc, IB = 0) 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCEO (sus) |
40 60 80 |
-- -- -- |
Vdc |
|
Ρεύμα Collector−Cutoff (VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N6034 (VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N6036, 2N6039 |
ICEO |
-- -- -- |
100 100 100 |
UA |
|
Ρεύμα Collector−Cutoff (VCE = 40 Vdc, VBE (μακριά) = 1,5 Vdc) 2N6034 (VCE = 60 Vdc, VBE (μακριά) = 1,5 Vdc) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 Vdc, VBE (μακριά) = 1,5 Vdc) 2N6036, 2N6039 (VCE = 40 Vdc, VBE (μακριά) = 1,5 Vdc, TC = 125C) 2N6034 (VCE = 60 Vdc, VBE (μακριά) = 1,5 Vdc, TC = 125C) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 Vdc, VBE (μακριά) = 1,5 Vdc, TC = 125C) 2N6036, 2N6039 |
ICEX |
-- -- -- -- -- -- |
100 100 100 500 500 500 |
UA |
|
Ρεύμα Collector−Cutoff (VCB = 40 Vdc, ΔΗΛ. = 0) 2N6034 (VCB = 60 Vdc, ΔΗΛ. = 0) 2N6035, 2N6038 (VCB = 80 Vdc, ΔΗΛ. = 0) 2N6036, 2N6039 |
ICBO |
-- -- -- |
0,5 0,5 0,5 |
mAdc |
| Ρεύμα Emitter−Cutoff (VBE = 5,0 Vdc, ολοκληρωμένος κύκλωμα = 0) | IEBO | -- | 2.0 | mAdc |
| ΣΤΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ | ||||
|
ΣΥΝΕΧΕΣ τρέχον κέρδος (Ολοκληρωμένος κύκλωμα = 0,5 ΠΑΧ, VCE = 3,0 Vdc) (Ολοκληρωμένος κύκλωμα = 2,0 ΠΑΧ, VCE = 3,0 Vdc) (Ολοκληρωμένος κύκλωμα = 4,0 ΠΑΧ, VCE = 3,0 Vdc) |
hFE |
500 750 100 |
-- 15.000 -- |
-- |
|
Τάση κορεσμού Collector−Emitter (Ολοκληρωμένος κύκλωμα = 2,0 ΠΑΧ, IB = mAdc 8,0) (Ολοκληρωμένος κύκλωμα = 4,0 ΠΑΧ, IB = mAdc 40) |
(Που κάθεται VCE) |
-- -- |
2.0 3.0 |
Vdc |
|
Τάση κορεσμού Base−Emitter (Ολοκληρωμένος κύκλωμα = 4,0 ΠΑΧ, IB = mAdc 40) |
(Που κάθεται VBE) | -- | 4.0 | Vdc |
|
Base−Emitter στην τάση (Ολοκληρωμένος κύκλωμα = 2,0 ΠΑΧ, VCE = 3,0 Vdc) |
VBE (επάνω) | -- | 2.8 | Vdc |
| ΔΥΝΑΜΙΚΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ | ||||
|
Small−Signal Current−Gain (Ολοκληρωμένος κύκλωμα = 0,75 ΠΑΧ, VCE = 10 Vdc, φ = 1,0 MHZ) |
|hfe| | 25 | -- | -- |
|
Ικανότητα παραγωγής (VCB = 10 Vdc, ΔΗΛ. = 0, φ = 0,1 MHZ) 2N6034, 2N6035, 2N6036 2N6038, 2N6039 |
Σπάδικας |
-- -- |
200 100 |
pF |
*Indicates καταχωρημένα JEDEC στοιχεία.
0402 με παχιά μεμβράνη αντιστάτης RC0402JR-0710KL τσιπ 0.063W 10kOhm SMT
χάντρες 5A τσιπ 200MHz MPZ1608S300ATAH0 για το ηλεκτροφόρο καλώδιο TDK SMD0603
αντιστάτες erj-2GEJ220X PANASONIC τσιπ ταινιών 22R 5% SMD0402
Varistor μπλε SMD mov-20D751K 750V 6.5kA αντιστάτης 1 τσιπ κύκλωμα μέσω του δίσκου 20mm τρυπών
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία Pnp πυριτίου διόδων διορθωτών γενικού σκοπού 2sb1261-TP 10W
IXFK140N30P πολικό Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A δύναμης
DF2B29FU, δίοδοι προστασίας TV 24VWM 47V ESD H3F
Χαμηλός VF ΜΈΓΑ Schottky διορθωτής SOD123 εμποδίων PMEG6010ER 1A
Οι δίοδοι διορθωτών εμποδίων SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC