MJD112T4G mosfet υψηλής δύναμης κρυσταλλολυχνίες, συμπληρωματικές κρυσταλλολυχνίες δύναμης DarliCM GROUPon
power mosfet ic
,silicon power transistors
MJD112T4G mosfet υψηλής δύναμης κρυσταλλολυχνίες, συμπληρωματικές κρυσταλλολυχνίες δύναμης DarliCM GROUPon
MJD112 (NPN)
MJD117 (PNP)
Συμπληρωματικές κρυσταλλολυχνίες δύναμης DarliCM GROUPon
DPAK για την επιφάνεια τοποθετεί τις εφαρμογές
ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΕΣ ΔΥΝΑΜΗΣ ΠΥΡΙΤΙΟΥ
2 ΑΜΠΕΡ
100 ΒΟΛΤ
20 WATT
Σχεδιασμένος για τη δύναμη και τη μετατροπή γενικού σκοπού όπως τα στάδια παραγωγής ή οδηγών στις εφαρμογές όπως οι ρυθμιστές μετατροπής, οι μετατροπείς, και οι ενισχυτές δύναμης.
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
• Οι συσκευασίες Pb−Free είναι διαθέσιμες
• Ο μόλυβδος που διαμορφώνεται για την επιφάνεια τοποθετεί τις εφαρμογές στα πλαστικά μανίκια (κανένα επίθημα)
• Ευθεία έκδοση μολύβδου στα πλαστικά μανίκια (επίθημα «−1»)
• Διαμορφωμένη μόλυβδος έκδοση στην ταινία και το εξέλικτρο 16 χιλ. (επίθημα «T4» και «RL»)
• Ηλεκτρικά παρόμοιος με τη δημοφιλή σειρά TIP31 και TIP32
ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ
Εκτίμηση | Σύμβολο | Max | Μονάδα |
Τάση Collector−Emitter | VCEO | 100 | Vdc |
Τάση Collector−Base | VCB | 100 | Vdc |
Τάση Emitter−Base | VEB | 5 | Vdc |
Συλλέκτης τρέχον − συνεχής Αιχμή |
Ολοκληρωμένο κύκλωμα |
2 4 |
ΠΑΧ |
Ρεύμα βάσεων | IB | 50 | mAdc |
Συνολικός διασκεδασμός δύναμης @ TC = 25°C Derate επάνω από 25°C |
PD |
20 0,16 |
W W/°C |
Συνολική δύναμη Dissipation* @ TA = 25°C Derate επάνω από 25°C |
PD |
1.75 0,014 |
W W/°C |
Σειρά θερμοκρασίας συνδέσεων λειτουργίας και αποθήκευσης | TJ, Tstg | −65 σε +150 | °C |
Οι μέγιστες εκτιμήσεις είναι εκείνες οι τιμές πέρα από τις οποίες η ζημία συσκευών μπορεί να εμφανιστεί. Οι μέγιστες εκτιμήσεις που εφαρμόζονται στη συσκευή είναι μεμονωμένες οριακές τιμές πίεσης (μη κανονικοί λειτουργούντες όροι) και είναι άκυρες ταυτόχρονα. Εάν αυτά τα όρια ξεπερνιούνται, η λειτουργική λειτουργία συσκευών δεν είναι υπονοούμενη, η ζημία μπορεί να εμφανιστεί και η αξιοπιστία μπορεί να επηρεαστεί.
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟΣ ΤΩΝ ΔΙΑΓΡΑΜΜΑΤΩΝ
ΔΙΑΣΤΑΣΕΙΣ ΣΥΣΚΕΥΑΣΙΑΣ
DPAK
ΥΠΟΘΕΣΗ 369C
ΖΗΤΗΜΑ Ο
DPAK−3
ΥΠΟΘΕΣΗ 369D−01
ΖΗΤΗΜΑ Β