LMC662CM Προγραμματιζόμενος τσιπ IC CMOS Διπλός Λειτουργικός Ενισχυτής

LMC662 CMOS Διπλός Λειτουργικός Ενισχυτής

Γενική περιγραφή

Ο διπλός λειτουργικός ενισχυτής LMC662 CMOS είναι ιδανικός για λειτουργία από μία μόνο παροχή.Λειτουργεί από +5V έως +15V και διαθέτει αιώρηση εξόδου από ράγα σε ράγα εκτός από ένα εύρος κοινής λειτουργίας εισόδου που περιλαμβάνει γείωση.Οι περιορισμοί απόδοσης που έχουν ταλαιπωρήσει τους ενισχυτές CMOS στο παρελθόν δεν αποτελούν πρόβλημα με αυτόν τον σχεδιασμό.Το VOS εισόδου, η μετατόπιση και ο θόρυβος ευρείας ζώνης καθώς και η αύξηση τάσης σε ρεαλιστικά φορτία (2 kΩ και 600Ω) είναι όλα ίσα ή καλύτερα από τα ευρέως αποδεκτά διπολικά ισοδύναμα.

Αυτό το τσιπ είναι κατασκευασμένο με την προηγμένη διαδικασία Double-Poly Silicon-Gate CMOS της National.Δείτε το φύλλο δεδομένων LMC660 για έναν λειτουργικό ενισχυτή Quad CMOS με αυτά τα ίδια χαρακτηριστικά.

Χαρακτηριστικά

• Κούνια εξόδου Rail-to-Rail
• Καθορίζεται για φορτία 2 kΩ και 600Ω
• Απολαβή υψηλής τάσης: 126 dB
• Χαμηλή τάση μετατόπισης εισόδου: 3 mV
• Μετατόπιση τάσης χαμηλής μετατόπισης: 1,3 µV/˚C

• Εξαιρετικά χαμηλό ρεύμα πόλωσης εισόδου: 2 fA
• Το εύρος κοινής λειτουργίας εισόδου περιλαμβάνει V⁻
• Εύρος λειτουργίας από +5V έως +15V τροφοδοσίας
• ISS = 400 µA/ενισχυτής;ανεξάρτητα από το V+

• Χαμηλή παραμόρφωση: 0,01% στα 10 kHz
• Ρυθμός περιστροφής: 1,1 V/µs
• Διατίθεται σε εκτεταμένο εύρος θερμοκρασίας (−40˚C έως +125˚C).ιδανικό για εφαρμογές αυτοκινήτου
• Διατίθεται σε τυπικές προδιαγραφές στρατιωτικού σχεδίου

Εφαρμογές

• Προσωρινός ή προενισχυτής υψηλής σύνθετης αντίστασης
• Μετατροπέας ακριβείας ρεύματος σε τάση
• Μακροπρόθεσμος ολοκληρωμένος
• Κύκλωμα δειγματοληψίας και διατήρησης
• Ανιχνευτής αιχμής
• Ιατρικά όργανα
• Βιομηχανικοί έλεγχοι
• Αισθητήρες αυτοκινήτων

Απόλυτες μέγιστες αξιολογήσεις (Σημείωση 3)

Εάν απαιτούνται συσκευές που καθορίζονται από τη Στρατιωτική/Αεροδιαστημική, επικοινωνήστε με το Εθνικό Γραφείο Πωλήσεων Ημιαγωγών/ Διανομείς για διαθεσιμότητα και προδιαγραφές.

Διαφορική τάση εισόδου ±Τάση τροφοδοσίας

Τάση τροφοδοσίας (V⁺− V⁻) 16V

Βραχυκύκλωμα εξόδου στο V⁺(Σημείωση 12)

Βραχυκύκλωμα εξόδου στο V⁻(Σημείωση 1)

Θερμοκρασία μολύβδου (Συγκόλληση, 10 δευτ.) 260˚C

Θερμοκρασία αποθήκευσης.Εύρος −65˚C έως +150˚C

Τάση στις ακίδες εισόδου/εξόδου (V⁺) +0,3V, (V⁻) −0,3V

Ρεύμα στον ακροδέκτη εξόδου ±18 mA

Ρεύμα στον ακροδέκτη εισόδου ±5 mA

Ρεύμα στον ακροδέκτη τροφοδοτικού 35 mA

Διαρροή ισχύος (Σημείωση 2)

Θερμοκρασία διακλάδωσης 150˚C

Ανοχή ESD (Σημείωση 8) 1000V

Αξιολογήσεις λειτουργίας (Σημείωση 3)

Εύρος θερμοκρασίας

LMC662AMJ/883, LMC662AMD −55˚C ≤ TJ ≤ +125˚C

LMC662AI −40˚C ≤ TJ ≤ +85˚C

LMC662C 0˚C ≤ TJ ≤ +70˚C

LMC662E −40˚C ≤ TJ ≤ +125˚C

Εύρος τάσης τροφοδοσίας 4,75V έως 15,5V

Διαρροή ισχύος (Σημείωση 10)

Θερμική Αντίσταση (θJA) (Σημείωση 11)

Κεραμικό DIP 8 ακίδων DIP 100˚C/W

8-Pin Molded DIP 101˚C/W

8-ακίδες SO 165˚C/W

8-Pin Side Brazed Ceramic DIP 100˚C/W

Σημείωση 1: Ισχύει τόσο για λειτουργία μεμονωμένης παροχής όσο και για λειτουργία διαχωρισμού.Η συνεχής λειτουργία βραχυκυκλώματος σε υψηλή θερμοκρασία περιβάλλοντος και/ή πολλαπλά βραχυκυκλώματα Op Amp μπορεί να οδηγήσει σε υπέρβαση της μέγιστης επιτρεπόμενης θερμοκρασίας σύνδεσης των 150˚C.Ρεύματα εξόδου άνω των ±30 mA μακροπρόθεσμα μπορεί να επηρεάσουν αρνητικά την αξιοπιστία.

Σημείωση 2: Η μέγιστη διασπορά ισχύος είναι συνάρτηση των TJ(max), θJA και TA.Η μέγιστη επιτρεπόμενη απαγωγή ισχύος σε οποιαδήποτε θερμοκρασία περιβάλλοντος είναι PD = (TJ(max)–TA)/θJA.

Σημείωση 3: Οι Απόλυτες Μέγιστες Αξιολογήσεις υποδεικνύουν όρια πέρα ​​από τα οποία μπορεί να προκληθεί ζημιά στη συσκευή.Οι αξιολογήσεις λειτουργίας υποδεικνύουν συνθήκες για τις οποίες η συσκευή προορίζεται να λειτουργήσει, αλλά δεν εγγυώνται συγκεκριμένα όρια απόδοσης.Για εγγυημένες προδιαγραφές και συνθήκες δοκιμής, ανατρέξτε στα Ηλεκτρικά Χαρακτηριστικά.Οι εγγυημένες προδιαγραφές ισχύουν μόνο για τις συνθήκες δοκιμής που αναφέρονται.

Σημείωση 4: Οι τυπικές τιμές αντιπροσωπεύουν τον πιο πιθανό παραμετρικό κανόνα.Τα όρια είναι εγγυημένα με δοκιμή ή συσχέτιση.

Σημείωση 5: V+ = 15 V, VCM = 7,5 V και RL συνδεδεμένο σε 7,5 V.Για δοκιμές προμήθειας, 7,5 V ≤ VO ≤ 11,5 V.Για δοκιμές βύθισης, 2,5V ≤ VO ≤ 7,5V.

Σημείωση 6: V+ = 15V.Συνδέεται ως ακολούθως τάσης με είσοδο βήματος 10V.Ο αριθμός που προσδιορίζεται είναι ο πιο αργός από τους θετικούς και αρνητικούς ρυθμούς περιστροφής.

Σημείωση 7: Παραπομπή εισόδου.V+ = 15V και RL = 10 kΩ συνδεδεμένο στο V+/2.Κάθε ενισχυτής διεγείρεται με τη σειρά του με 1 kHz για να παράγει VO = 13 VPP.

Σημείωση 8: Μοντέλο ανθρώπινου σώματος, 1,5 kΩ σε σειρά με 100 pF.

Σημείωση 9: Μια στρατιωτική προδιαγραφή ηλεκτρικής δοκιμής RETS είναι διαθέσιμη κατόπιν αιτήματος.Κατά τη στιγμή της εκτύπωσης, η προδιαγραφή LMC662AMJ/883 RETS συμμορφωνόταν πλήρως με τα όρια έντονης γραφής σε αυτήν τη στήλη.Το LMC662AMJ/883 μπορεί επίσης να αγοραστεί σύμφωνα με τις προδιαγραφές Standard Military Drawing.

Σημείωση 10: Για λειτουργία σε υψηλές θερμοκρασίες, η συσκευή πρέπει να υποβαθμιστεί με βάση τη θερμική αντίσταση θJA με PD = (TJ–TA)/θJA.

Σημείωση 11: Όλοι οι αριθμοί ισχύουν για πακέτα που έχουν συγκολληθεί απευθείας σε μια πλακέτα υπολογιστή.

Σημείωση 12: Μη συνδέετε την έξοδο σε V+ όταν το V+ είναι μεγαλύτερο από 13 V ή μπορεί να επηρεαστεί αρνητικά η αξιοπιστία

Διάγραμμα σύνδεσης

Προσφορά μετοχών (Hot Sell)