Προγραμματιζόμενοι λειτουργικοί ενισχυτές χαμηλής ισχύος Lincmose TLC271CDR
electronics ic chip
,integrated circuit components
LinCMOSTMΠΡΟΓΡΑΜΜΑΤΙΣΜΟΙ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΧΑΜΗΛΗΣ ΙΣΧΥΟΣ
*Μετατόπιση τάσης εισόδου ...Τυπικά
0,1 µV/Μήνα, Συμπεριλαμβανομένων των Πρώτων 30 Ημερών
*Μεγάλο εύρος τάσεων τροφοδοσίας Πάνω
Καθορισμένο εύρος θερμοκρασίας:
0°C έως 70°C...3 V έως 16 V
–40°C έως 85°C...4 V έως 16 V
–55°C έως 125°C...5 V έως 16 V
*Λειτουργία Ενιαίας Παροχής
*Εύρος τάσης εισόδου κοινής λειτουργίας
Εκτείνεται κάτω από την αρνητική ράγα (C-Επίθημα και
Τύποι επιθημάτων I)
*Χαμηλός θόρυβος...25 nV/√Hz Συνήθως σε
f = 1 kHz (Λειτουργία υψηλής πόλωσης)
*Το εύρος τάσης εξόδου περιλαμβάνει αρνητική ράγα
*Υψηλή αντίσταση εισόδου...1012 Ω Τυπ
*Κύκλωμα προστασίας ESD
*Διατίθεται επίσης η επιλογή πακέτου Small-Outline
στο Tape and Reel
*Designed-In Latch-Up Immunity
περιγραφή
Ο λειτουργικός ενισχυτής TLC271 συνδυάζει ένα ευρύ φάσμα βαθμών μετατόπισης τάσης εισόδου με μετατόπιση τάσης χαμηλής μετατόπισης και υψηλή σύνθετη αντίσταση εισόδου.Επιπλέον, το TLC271 προσφέρει μια λειτουργία επιλογής μεροληψίας που επιτρέπει στο χρήστη να επιλέξει τον καλύτερο συνδυασμό κατανάλωσης ισχύος και απόδοσης εναλλασσόμενου ρεύματος για μια συγκεκριμένη εφαρμογή.Αυτές οι συσκευές χρησιμοποιούν Texas Instruments silicon-gate LinCMOSTMτεχνολογία, η οποία παρέχει σταθερότητα μετατόπισης τάσης που υπερβαίνει κατά πολύ τη σταθερότητα που είναι διαθέσιμη με τις συμβατικές διεργασίες μεταλλικής πύλης.
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΣΥΣΚΕΥΗΣ
ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ† | BIAS-SELECT MODE | ΜΟΝΑΔΑ | ||
ΥΨΗΛΟΣ | ΜΕΣΑΙΟ | ΧΑΜΗΛΟΣ | ||
Πρε | 3375 | 525 | 50 | µW |
SR | 3.6 | 0.4 | 0,03 | V/μs |
Vn | 25 | 32 | 68 | nV/√Hz |
σι1 | 1.7 | 0,5 | 0,09 | MHz |
ΕΝΑVD | 23 | 170 | 480 | V/mV |
†Τυπικό στο VDD= 5 V, TΕΝΑ= 25°C
ισοδύναμο σχηματικό
απόλυτες μέγιστες βαθμολογίες για τη θερμοκρασία ελεύθερου αέρα λειτουργίας
(εκτός αν αναφέρεται διαφορετικά)†
Τάση τροφοδοσίας, VDD(βλ. Σημείωση 1) ...................................................18 V
Διαφορική τάση εισόδου, Vταυτότητα(βλ. Σημείωση 2) ............................................±VDD
Εύρος τάσης εισόδου, VΕγώ(οποιαδήποτε εισαγωγή) ...........................................– 0,3 V έως VDD
Ρεύμα εισόδου, ΙΕγώ.................................................................±5 mA
Ρεύμα εξόδου, ΙΟ..............................................................±30 mA
Διάρκεια ρεύματος βραχυκυκλώματος στους (ή κάτω) 25°C (βλ. Σημείωση 3) ..........................Απεριόριστος
Συνεχής ολική διάχυση .....................................Δείτε τον Πίνακα Βαθμολόγησης Διασκορπισμού
Θερμοκρασία ελεύθερου αέρα λειτουργίας, TΕΝΑ: C επίθημα .....................................0,0°C έως 70°C
επιθέτω ....................................– 40°C έως 85°C
Μ επίθημα ...................................– 55°C έως 125°C
Εύρος Θερμοκρασίας Αποθήκευσης ...............................................– 65°C έως 150°C
Θερμοκρασία θήκης για 60 δευτερόλεπτα: Συσκευασία FK .......................................260°C
Θερμοκρασία καλωδίου 1,6 mm (1/16 ίντσας) από τη θήκη για 10 δευτερόλεπτα: συσκευασία D ή P .............0,260°C
Θερμοκρασία καλωδίου 1,6 mm (1/16 ίντσας) από τη θήκη για 60 δευτερόλεπτα: Συσκευασία JG ................0,300°C
† Καταπονήσεις πέρα από αυτές που αναφέρονται στις «απόλυτες μέγιστες αξιολογήσεις» μπορεί να προκαλέσουν μόνιμη βλάβη στη συσκευή.Αυτές είναι μόνο αξιολογήσεις καταπόνησης και η λειτουργική λειτουργία της συσκευής σε αυτές ή οποιεσδήποτε άλλες συνθήκες πέρα από αυτές που υποδεικνύονται στις «συνιστώμενες συνθήκες λειτουργίας» δεν υπονοείται.Η έκθεση σε συνθήκες απόλυτης μέγιστης βαθμολογίας για παρατεταμένες περιόδους μπορεί να επηρεάσει την αξιοπιστία της συσκευής.
ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ: 1. Όλες οι τιμές τάσης, εκτός από τις διαφορικές τάσεις, αφορούν τη γείωση του δικτύου.
2. Οι διαφορικές τάσεις είναι στο IN+ σε σχέση με το IN–.
3. Η έξοδος μπορεί να βραχυκυκλωθεί σε οποιαδήποτε παροχή.Η θερμοκρασία ή/και οι τάσεις τροφοδοσίας πρέπει να είναι περιορισμένες για να διασφαλιστεί
να μην ξεπεραστεί ο μέγιστος βαθμός διάχυσης (βλ. ενότητα εφαρμογής).
ΠΙΝΑΚΑΣ ΒΑΘΜΟΛΟΓΗΣΗΣ ΔΙΑΚΟΠΗΣ
ΠΑΚΕΤΟ |
ΤΕΝΑ≤ 25°C ΒΑΘΜΟΛΟΓΙΑ ΙΣΧΥΟΣ |
ΠΑΡΑΓΟΝΤΑΣ ΔΙΑΤΡΟΦΗΣ ΠΑΝΩ ΤΕΝΑ= 25°C |
ΤΕΝΑ= 70°C ΒΑΘΜΟΛΟΓΙΑ ΙΣΧΥΟΣ |
ΤΕΝΑ= 85°C ΒΑΘΜΟΛΟΓΙΑ ΙΣΧΥΟΣ |
ΤΕΝΑ= 125°C ΒΑΘΜΟΛΟΓΙΑ ΙΣΧΥΟΣ |
ρε | 725 mW | 5,8 mW/°C | 464 mW | 377 mW | 145 mW |
FK | 1375 mW | 11,0 mW/°C | 880 mW | 715 mW | 275 mW |
JG | 1050 mW | 8,4 mW/°C | 672 mW | 546 mW | 210 mW |
Π | 1000 mW | 8,0 mW/°C | 640 mW | 520 mW | 200 mW |
Προτεινόμενες συνθήκες λειτουργίας
Γ ΕΠΙΘΕΜΑ | I ΕΠΙΘΕΜΑ | Μ ΕΠΙΘΕΜΑ | ΜΟΝΑΔΑ | ||
ΕΛΑΧΙΣΤΟ ΜΕΓΙΣΤΟ | ΕΛΑΧΙΣΤΟ ΜΕΓΙΣΤΟ | ΕΛΑΧΙΣΤΟ ΜΕΓΙΣΤΟ | |||
Τάση τροφοδοσίας, VDD | 3 16 | 4 16 | 5 16 | V | |
Κοινή λειτουργία τάση εισόδου VIC |
VDD= 5 V | –0,2 3,5 | –0,2 3,5 | 0 3,5 | V |
VDD= 10 V | –0,2 8,5 | –0,2 8,5 | 0 8,5 | ||
Θερμοκρασία ελεύθερου αέρα λειτουργίας, TΕΝΑ | 0 70 | –40 85 | –55 125 | °C |
LMC6482IMX/NOPB CMOS διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα ενισχυτών ράγα--ραγών εισόδου-εξόδου λειτουργικό
DRV602PWR ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
OPA335AIDR Ηλεκτρονικά τσιπάκια IC ΜΙΑ-ΠΕΡΙΔΗΤΗΣΗ ΚΟΜΟΣ ΕΠΙΧΡΗΤΙΚΟΥΣ ΑΝΑΠΑΡΑΓΑΤΕΣ
OPA4228UA ο ενισχυτής 4 κύκλωμα 14 SOIC 11 V/ΜS γενικού σκοπού γυρίζει το ποσοστό
TL082CP το ολοκληρωμένο κύκλωμα Chipjfet εισήγαγε το λειτουργικό ενισχυτή υψηλό γυρίζει το ποσοστό
TAS5162DKDR ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ
TL062CDR ΝΕΟΙΚΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ αποθέματα
LM324N ΝΕΟΙ και ΠΡΩΤΟΙΚΟΙ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ
Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
---|---|---|---|
LMC6482IMX/NOPB CMOS διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα ενισχυτών ράγα--ραγών εισόδου-εξόδου λειτουργικό |
CMOS Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
|
||
DRV602PWR ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης |
Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class AB 14-TSSOP
|
||
OPA335AIDR Ηλεκτρονικά τσιπάκια IC ΜΙΑ-ΠΕΡΙΔΗΤΗΣΗ ΚΟΜΟΣ ΕΠΙΧΡΗΤΙΚΟΥΣ ΑΝΑΠΑΡΑΓΑΤΕΣ |
Zero-Drift Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
|
||
OPA4228UA ο ενισχυτής 4 κύκλωμα 14 SOIC 11 V/ΜS γενικού σκοπού γυρίζει το ποσοστό |
General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-SOIC
|
||
TL082CP το ολοκληρωμένο κύκλωμα Chipjfet εισήγαγε το λειτουργικό ενισχυτή υψηλό γυρίζει το ποσοστό |
J-FET Amplifier 2 Circuit 8-PDIP
|
||
TAS5162DKDR ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ |
Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class D 36-HSSOP
|
||
TL062CDR ΝΕΟΙΚΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ αποθέματα |
J-FET Amplifier 2 Circuit 8-SOIC
|
||
LM324N ΝΕΟΙ και ΠΡΩΤΟΙΚΟΙ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ |
General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-PDIP
|