Λειτουργικοί ενισχυτές εισόδου Jfet ολοκληρωμένου κυκλώματος χαμηλής κατανάλωσης ενέργειας TL084IDR
integrated circuit ic
,integrated circuit components
JFET-INPUT ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ TL084IDR
*Χαμηλή κατανάλωση ενέργειας
*Ευρεία εύρη κοινής λειτουργίας και διαφορικής τάσης
*Χαμηλά ρεύματα πόλωσης εισόδου και μετατόπισης
*Προστασία εξόδου από βραχυκύκλωμα
*Χαμηλή Ολική Αρμονική
Παραμόρφωση ...0,003% Τυπ
*Υψηλή αντίσταση εισόδου...JFET-Στάδιο εισόδου
*Λειτουργία χωρίς κλειδαριά
*Υψηλός ρυθμός θανάτωσης...13 V/µs Τύπος
*Το εύρος τάσης εισόδου κοινής λειτουργίας περιλαμβάνει VCC+
Περιγραφή
Η οικογένεια λειτουργικών ενισχυτών εισόδου TL08x JFET έχει σχεδιαστεί για να προσφέρει ευρύτερη επιλογή από οποιαδήποτε οικογένεια λειτουργικών ενισχυτών που έχει αναπτυχθεί προηγουμένως.Καθένας από αυτούς τους λειτουργικούς ενισχυτές εισόδου JFET ενσωματώνει καλά ταιριαστά, υψηλής τάσης JFET και διπολικά τρανζίστορ σε ένα μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα.Οι συσκευές διαθέτουν υψηλούς ρυθμούς περιστροφής, χαμηλά ρεύματα πόλωσης και μετατόπισης εισόδου και χαμηλό συντελεστή θερμοκρασίας τάσης μετατόπισης.Οι επιλογές ρύθμισης μετατόπισης και εξωτερικής αντιστάθμισης είναι διαθέσιμες στην οικογένεια TL08x.
Οι συσκευές με επίθημα C χαρακτηρίζονται για λειτουργία από 0°C έως 70°C.Οι συσκευές με επίθημα I χαρακτηρίζονται για λειτουργία από -40°C έως 85°C.Οι συσκευές με επίθημα Q χαρακτηρίζονται για λειτουργία από -40°C έως 125°C.Οι συσκευές με επίθημα M χαρακτηρίζονται για λειτουργία σε όλο το στρατιωτικό εύρος θερμοκρασιών από -55°C έως 125°C.
σχηματικός (κάθε ενισχυτής)
απόλυτες μέγιστες βαθμολογίες στο εύρος θερμοκρασίας ελεύθερου αέρα λειτουργίας
(εκτός αν αναφέρεται διαφορετικά)†
|
TL08_C TL08_AC TL08_BC |
TL08_I | TL084Q | TL08_M | ΜΟΝΑΔΑ | ||
| Τάση τροφοδοσίας, VCC+(βλ. Σημείωση 1) | 18 | 18 | 18 | 18 | V | |
| Τάση τροφοδοσίας VCC−(βλ. Σημείωση 1) | -18 | -18 | -18 | -18 | V | |
| Διαφορική τάση εισόδου, Vταυτότητα(βλ. Σημείωση 2) | ± 30 | ± 30 | ± 30 | ± 30 | V | |
| Τάση εισόδου, VΕγώ(βλ. Σημειώσεις 1 και 3) | ±15 | ±15 | ±15 | ±15 | V | |
| Διάρκεια βραχυκυκλώματος εξόδου (βλ. Σημείωση 4) | Απεριόριστος | Απεριόριστος | Απεριόριστος | Απεριόριστος | ||
| Συνεχής συνολική απαγωγή ισχύος | Δείτε τον Πίνακα Βαθμολόγησης Διασκορπισμού | |||||
| Εύρος θερμοκρασίας ελεύθερου αέρα λειτουργίας, TΕΝΑ | 0 έως 70 | −40 έως 85 | −40 έως 125 | −55 έως 125 | °C | |
|
Θερμική συσκευασία σύνθετη αντίσταση, θJA (βλ. Σημειώσεις 5 και 6) |
Πακέτο D (8 ακίδων) | 97 | 97 | °C/W |
||
| Πακέτο D (14 ακίδων) | 86 | 86 | ||||
| Πακέτο N (14 ακίδων) | 76 | 76 | ||||
| Πακέτο NS (14 ακίδων) | 80 | |||||
| Πακέτο P (8 ακίδων) | 85 | 85 | ||||
| Πακέτο PS (8 ακίδων) | 95 | 95 | ||||
| Πακέτο PW (8 ακίδων) | 149 | |||||
| Πακέτο PW (14 ακίδων) | 113 | 113 | ||||
| Θερμοκρασία εικονικής διασταύρωσης λειτουργίας | 150 | 150 | 150 | 150 | °C | |
|
Θερμοκρασία θήκης για 60 δευτερόλεπτα, Τντο |
Πακέτο FK | 260 | °C | |||
|
Θερμοκρασία μολύβδου 1,6 mm (1/16 ίντσας) από θήκη για 60 δευτερόλεπτα |
J ή JG πακέτο | 300 | °C | |||
| Εύρος θερμοκρασίας αποθήκευσης, Tstg | −65 έως 150 | −65 έως 150 | −65 έως 150 | −65 έως 150 | °C | |
†Καταπονήσεις πέρα από αυτές που αναφέρονται στις «απόλυτες μέγιστες αξιολογήσεις» μπορεί να προκαλέσουν μόνιμη βλάβη στη συσκευή.Αυτές είναι μόνο αξιολογήσεις καταπόνησης και η λειτουργική λειτουργία της συσκευής σε αυτές ή οποιεσδήποτε άλλες συνθήκες πέρα από αυτές που υποδεικνύονται στις «συνιστώμενες συνθήκες λειτουργίας» δεν υπονοείται.Η έκθεση σε συνθήκες απόλυτης μέγιστης βαθμολογίας για παρατεταμένες περιόδους μπορεί να επηρεάσει την αξιοπιστία της συσκευής.
ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ: 1. Όλες οι τιμές τάσης, εκτός από τις διαφορικές τάσεις, είναι σε σχέση με το μέσο μεταξύ
VCC+και VCC−.
2. Οι διαφορικές τάσεις είναι στο IN+ σε σχέση με το IN−.
3. Το μέγεθος της τάσης εισόδου δεν πρέπει ποτέ να υπερβαίνει το μέγεθος της τάσης τροφοδοσίας
ή 15 V, όποιο είναι λιγότερο.
4. Η έξοδος μπορεί να βραχυκυκλωθεί στη γείωση ή σε οποιαδήποτε παροχή.Θερμοκρασία ή/και τάσεις τροφοδοσίας
πρέπει να περιορίζεται για να διασφαλίζεται ότι δεν γίνεται υπέρβαση του βαθμού διάχυσης.
5. Η μέγιστη απαγωγή ισχύος είναι συνάρτηση του TJ(max), θJA, και ΤΕΝΑ.Το μέγιστο επιτρεπόμενο
η απαγωγή ισχύος σε οποιαδήποτε επιτρεπόμενη θερμοκρασία περιβάλλοντος είναι PD = (TJ(μέγιστο) − ΤΕΝΑ)/θJA.
Η λειτουργία στο απόλυτο μέγιστο TJ των 150°C μπορεί να επηρεάσει την αξιοπιστία.
6. Η θερμική αντίσταση συσκευασίας υπολογίζεται σύμφωνα με το JESD 51-7.
ΠΙΝΑΚΑΣ ΒΑΘΜΟΛΟΓΗΣΗΣ ΔΙΑΚΟΠΗΣ
| ΠΑΚΕΤΟ |
ΤΕΝΑ≤ 25°C ΒΑΘΜΟΛΟΓΙΑ ΙΣΧΥΟΣ |
ΜΕΙΩΣΗ ΑΠΟΔΟΣΗΣ ΠΑΡΑΓΟΝΤΑΣ |
DERATE ΠΑΝΩ ΤΕΝΑ |
ΤΕΝΑ= 70°C ΒΑΘΜΟΛΟΓΙΑ ΙΣΧΥΟΣ |
ΤΕΝΑ= 85°C ΒΑΘΜΟΛΟΓΙΑ ΙΣΧΥΟΣ | ΤΕΝΑ= 125°C ΒΑΘΜΟΛΟΓΙΑ ΙΣΧΥΟΣ |
| D (14 pin) | 680 mW | 7,6 mW/°C | 60°C | 604 mW | 490 mW | 186 mW |
| FK | 680 mW | 11,0 mW/°C | 88°C | 680 mW | 680 mW | 273 mW |
| J | 680 mW | 11,0 mW/°C | 88°C | 680 mW | 680 mW | 273 mW |
| JG | 680 mW | 8,4 mW/°C | 69°C | 672 mW | 546 mW | 210 mW |
LMC6482IMX/NOPB CMOS διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα ενισχυτών ράγα--ραγών εισόδου-εξόδου λειτουργικό
DRV602PWR ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
OPA335AIDR Ηλεκτρονικά τσιπάκια IC ΜΙΑ-ΠΕΡΙΔΗΤΗΣΗ ΚΟΜΟΣ ΕΠΙΧΡΗΤΙΚΟΥΣ ΑΝΑΠΑΡΑΓΑΤΕΣ
OPA4228UA ο ενισχυτής 4 κύκλωμα 14 SOIC 11 V/ΜS γενικού σκοπού γυρίζει το ποσοστό
TL082CP το ολοκληρωμένο κύκλωμα Chipjfet εισήγαγε το λειτουργικό ενισχυτή υψηλό γυρίζει το ποσοστό
TAS5162DKDR ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ
TL062CDR ΝΕΟΙΚΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ αποθέματα
LM324N ΝΕΟΙ και ΠΡΩΤΟΙΚΟΙ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
LMC6482IMX/NOPB CMOS διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα ενισχυτών ράγα--ραγών εισόδου-εξόδου λειτουργικό |
CMOS Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
|
|
|
|
DRV602PWR ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης |
Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class AB 14-TSSOP
|
|
|
|
OPA335AIDR Ηλεκτρονικά τσιπάκια IC ΜΙΑ-ΠΕΡΙΔΗΤΗΣΗ ΚΟΜΟΣ ΕΠΙΧΡΗΤΙΚΟΥΣ ΑΝΑΠΑΡΑΓΑΤΕΣ |
Zero-Drift Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
|
|
|
|
OPA4228UA ο ενισχυτής 4 κύκλωμα 14 SOIC 11 V/ΜS γενικού σκοπού γυρίζει το ποσοστό |
General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-SOIC
|
|
|
|
TL082CP το ολοκληρωμένο κύκλωμα Chipjfet εισήγαγε το λειτουργικό ενισχυτή υψηλό γυρίζει το ποσοστό |
J-FET Amplifier 2 Circuit 8-PDIP
|
|
|
|
TAS5162DKDR ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ |
Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class D 36-HSSOP
|
|
|
|
TL062CDR ΝΕΟΙΚΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ αποθέματα |
J-FET Amplifier 2 Circuit 8-SOIC
|
|
|
|
LM324N ΝΕΟΙ και ΠΡΩΤΟΙΚΟΙ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ |
General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-PDIP
|