Fm24cl04b-GTR 4 - πτητική μνήμη Kbit μη, γρήγορη I2C FRAM τμηματική διεπαφή αστραπιαίας σκέψης
κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
Ολοκληρωμένο κύκλωμα 4Kbit Ι ² Γ 1 MHZ 550 NS 8-SOIC μνήμης FRAM (σιδηροηλεκτρικό RAM)
Κατηγορία:
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
Τιμή:
Negotiate
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, PayPal
Προδιαγραφές
Σειρά:
FM24CL04B
Τάση:
2.7 Β σε 3,65 Β
Χαρακτηριστικό γνώρισμα:
Χαμηλής ισχύος κατανάλωση
Ικανότητα μνήμης:
4 KB (512 X 8)
Εφαρμογή:
Όργανα ελέγχου LCD, TV επίπεδης οθόνης, εκτυπωτές, ΠΣΤ, MP3
Συσκευασία:
SOIC8
Συχνότητα ρολογιών:
1-MHZ συχνότητα
Διεπαφή:
Γρήγορα τμηματική διεπαφή 2 καλωδίων (I2C)
Κυριώτερο σημείο:
serial flash memory
,serial flash chip
Εισαγωγή
Fm24cl04b-GTR τσιπ 4Kbit αστραπιαίας σκέψης γρήγορα τμηματική FRAM 2 καλωδίων λάμψη τμηματικών διεπαφών
Περιγραφή
Το FM24CL04B είναι μια αμετάβλητη μνήμη 4-Kbit υιοθετώντας μια προηγμένη σιδηροηλεκτρική διαδικασία. Μια σιδηροηλεκτρικός μνήμη ή ένας φ-ΚΡΙΟΣ τυχαίας προσπέλασης είναι αμετάβλητη και εκτελεί διαβάζει και γράφει παρόμοιο με ένα RAM. Παρέχει την αξιόπιστη διατήρηση στοιχείων για 151 έτη αποβάλλοντας τις περιπλοκές, τα γενικά έξοδα, και τα σύστημα-ισόπεδα προβλήματα αξιοπιστίας που προκαλούνται από EEPROM και άλλες αμετάβλητες μνήμες. Αντίθετα από EEPROM, το FM24CL04B εκτελεί γράφει τις διαδικασίες με την ταχύτητα λεωφορείων. Κανένας γράψτε ότι οι καθυστερήσεις υφίστανται. Το στοιχείο γράφεται στη σειρά μνήμης αμέσως αφότου μεταφέρεται επιτυχώς κάθε ψηφιολέξη στη συσκευή. Ο επόμενος κύκλος λεωφορείων μπορεί να αρχίσει χωρίς την ανάγκη για την ψηφοφορία στοιχείων. Επιπλέον, το προϊόν προσφέρει ουσιαστικό γράφει την αντοχή έναντι άλλων αμετάβλητων μνημών. Επίσης, ο φ-ΚΡΙΟΣ εκθέτει την πολύ χαμηλότερη δύναμη κατά τη διάρκεια γράφει από EEPROM δεδομένου ότι γράψτε ότι οι διαδικασίες δεν απαιτούν μια εσωτερικά ανυψωμένη τάση παροχής ηλεκτρικού ρεύματος για γράφει τα κυκλώματα. Το FM24CL04B είναι σε θέση 1014 ανάγνωσεις-γραφής κύκλους, ή 100 εκατομμύριο φορές περισσότερο γράψτε τους κύκλους από EEPROM. Αυτές οι ικανότητες κάνουν το ιδανικό FM24CL04B για τις εφαρμογές αμετάβλητης μνήμης, η απαίτηση συχνή ή γρήγορη γράφει. Τα παραδείγματα κυμαίνονται από την αναγραφή στοιχείων, όπου ο αριθμός γράφει ότι οι κύκλοι μπορούν να είναι κρίσιμοι, για την απαίτηση των βιομηχανικών ελέγχων όπου ο μακρύς γράφει ο χρόνος EEPROM μπορεί να προκαλέσει την απώλεια στοιχείων. Ο συνδυασμός χαρακτηριστικών γνωρισμάτων επιτρέπει τα συχνότερα στοιχεία γράφοντας με λιγότερο από πάνω για το σύστημα. Το FM24CL04B παρέχει τα ουσιαστικά οφέλη στους χρήστες τμηματικού EEPROM (I2C) ως υλικό πτώση-στην αντικατάσταση. Οι προδιαγραφές συσκευών είναι εγγυημένες πέρα από μια βιομηχανική σειρά θερμοκρασίας – 40 Γ σε +85 Γ.
Χαρακτηριστικά γνωρίσματα
■4-Kbit σιδηροηλεκτρική μνήμη τυχαίας προσπέλασης (φ-ΚΡΙΟΣ) λογικά
οργανωμένος ως 512 × 8
Η υψηλός-αντοχή ❐ 100 τρισεκατομμύρια (1014) που διαβάζονται/γράφει
διατήρηση στοιχείων 151-έτους ❐ (δείτε τη διατήρηση και την αντοχή στοιχείων
στη σελίδα 10)
❐ NoDelay™ γράφει
❐ Προηγμένη σιδηροηλεκτρική διαδικασία υψηλός-αξιοπιστίας
■Γρήγορα τμηματική διεπαφή 2 καλωδίων (I2C)
❐ Μέχρι τη συχνότητα 1-MHZ
❐ Άμεση αντικατάσταση υλικού για τμηματικό EEPROM (I2C)
❐ Συγχρονισμοί κληρονομιών υποστηρίξεων για το kHz 100 και το kHz 400
■Χαμηλής ισχύος κατανάλωση
❐ 100 ενεργό ρεύμα Α στο kHz 100
❐ 3 εφεδρικό ρεύμα Α (τύπος)
■Λειτουργία τάσης: VDD = 2,7 Β ΣΕ 3,65 Β
■Βιομηχανική θερμοκρασία: – 40 Γ σε +85 Γ
■μικρή συσκευασία ολοκληρωμένων κυκλωμάτων περιλήψεων 8 καρφιτσών (SOIC)
■Περιορισμός των επικίνδυνων ουσιών (RoHS) υποχωρητικών
■4-Kbit σιδηροηλεκτρική μνήμη τυχαίας προσπέλασης (φ-ΚΡΙΟΣ) λογικά
οργανωμένος ως 512 × 8
Η υψηλός-αντοχή ❐ 100 τρισεκατομμύρια (1014) που διαβάζονται/γράφει
διατήρηση στοιχείων 151-έτους ❐ (δείτε τη διατήρηση και την αντοχή στοιχείων
στη σελίδα 10)
❐ NoDelay™ γράφει
❐ Προηγμένη σιδηροηλεκτρική διαδικασία υψηλός-αξιοπιστίας
■Γρήγορα τμηματική διεπαφή 2 καλωδίων (I2C)
❐ Μέχρι τη συχνότητα 1-MHZ
❐ Άμεση αντικατάσταση υλικού για τμηματικό EEPROM (I2C)
❐ Συγχρονισμοί κληρονομιών υποστηρίξεων για το kHz 100 και το kHz 400
■Χαμηλής ισχύος κατανάλωση
❐ 100 ενεργό ρεύμα Α στο kHz 100
❐ 3 εφεδρικό ρεύμα Α (τύπος)
■Λειτουργία τάσης: VDD = 2,7 Β ΣΕ 3,65 Β
■Βιομηχανική θερμοκρασία: – 40 Γ σε +85 Γ
■μικρή συσκευασία ολοκληρωμένων κυκλωμάτων περιλήψεων 8 καρφιτσών (SOIC)
■Περιορισμός των επικίνδυνων ουσιών (RoHS) υποχωρητικών
Εφαρμογές
Βιομηχανικός, επικοινωνίες & δικτύωση
ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
10pcs